Орбитальное квантовое число (l)

Газовые законы

1) при постоянной тем(t) изменение V газа обратно пропорц. изменению давления (закон Бойля - Мариотта); 2) при постоян давлении измен V газа прямо пропорц измеан бсолютной температуры (закон Шарля - Гей-Люссака); 3) при постоянных t и давлении изменение объема прямо пропорц изменению количества вещества (закон Авогадро). Эти закон в уравнения сост идеального газа PV = nRT

Если два газа смешать при постоянных t и давлении, то V смеси будет =сумме объемов газов,; при постоянномV давление смеси газов, хим не взаимодействующих друг с другом, =сумме парциальных давлений газов, сост смесь (закон парциальных давлений, установленный Дальтоном). Парциальное давление - это давление компонента идеальной газовой смеси, которое он оказывал бы, если бы один занимал объем всей смеси. Мольная доля одного из компонентов газовой смеси - это та часть всех молекул газа, которую составляют молекулы данного компонента. Для любого газа в смеси

Молн доля=числ молей газа/общ.число молей газ=парц.давлен.газа/суммарн.давлен

Важнейшие классы неорганических соединений.

 Оксид - это вещ из 2 элем, в состав которых входит кислород.Бывают основные и кислотные. Кислотные макс ст окис. серы +4, +6. Кисллт оксиды из неметаллов. осно.оксиды металлами.( вступают в реакции нейтрализации с образованием соли и воды). кислоты, и основания отдают свой ион в химических реакциях При реакции кислоты и основания образуются соли.

кислота – это вещество, в молекуле которого имеется один или несколько атомов водорода и кислотный остаток. Свойства кислот способны заменять в своих молекулах атомы водорода на атомы металлов. Взаимодействие кислот с основаниями. И обр соли. И воды.
Взаимодействие кислот с металлами.
металл активным(Na Zn),сильн кислота (HCL).
Сильные кислоты.
HI ->HBr->HCl->H₂SO₄->HNO₃
Слабые кислоты.
HF->H₃PO₄->H₂SO₃->H₂S->H₂CO₃->H₂SiO₃
Есть пара исключений.
Основания. Щелочи. (OH) .Основания раств(щелочи) и нераств. Щелочь+кислота-> Соль + вода.
К сильным основаниям относят щелочи: NaOH KOH LiOH  Вa(OH)₂ Ca(OH)₂
К слабым основаниям: Mg(OH)₂ Fe(OH)₂ Zn(OH)₂ NH₄OH Fe(OH)₃
Сильное основание легче реагирует с кислотой. свойство оснований – способность разлагаться при нагрна воду и осноВ оксид.
Амфотерные основания -это гидроксиды отдавать (ОН-) и Н₂.
Al(OH)₃, Cr(OH)₃, Be(OH)₂, Pb(OH)₂, Sn(OH)₄.

Соли - это вещ в которых атомы метал связаны с кисл остатком. Исключение (NH₄)₂SO₄ – сульфат аммония .Все соли разделяются на средние(Na₂SO₄₎ , кислые(Н) и основные. (ОН)

1.6 Способы выражения концентрации растворов

Массовая доля растворённого вещества w(B)= m(B) / m

Молярная концентрация C(B) = n(B) / V = m(B) / (M(B) · V)

Грамм - эквивалентом вещества называется количество граммов вещества, численно равное его эквиваленту. 1 грамму водорода или 8 граммам кислорода.
Э_{основания} = М_{основания} / число замещаемых в реакции гидроксильных групп
Э_{кислоты} = М_{кислоты} / число замещаемых в реакции атомов водорода
Э_соли = М_соли / произведение числа катионов на его зарядщества или 80 г (M(NaOH) = 40 г/моль).

Мольная доля растворенного вещества

ω(X) = C(X) ∙ M(X) / (10 ∙ ρ) ; k_s = m_в-ва / m_{р-ля .} ; s = (m_в-ва / m_р-ля) ∙ 100.

Модель атома Резерфорда

Рассеяние отдельных α-частиц на большие углы объяснил тем, что полож заряд в атоме не распределен равномерно в шаре. для объяснения нужно принять радиус атомного ядра равным примерно 10^-15м. атом устроен подобно планетарной системе. электроны в атоме обращаются вокруг атомного ядра. Радиус круговой орбиты самого далекого от ядра электрона и есть радиус атома. планетарной моделью. болш часть пространства в атоме между атомным ядром и обращ вокруг него электронами пуста, быстро заряженные частицы могут свободно проникать через слои вещества, содержащие несколько тысяч слоев атомов.При столкновениях с отдельными электронами быстрые заряженные частицы испытывают рассеяние на большие углы, так как масса электрона мала. Однако в тех редких случаях, когда быстрая заряженная частица пролетает на очень близком расстоянии от одного из атомных ядер, под действием силы электрического поля атомного ядра может произойти рассеяние заряженной частицы на любой угол до 180°.

Квантовые постулаты Бора

1. Электрон в атоме можеь находиться только в определенных устойчивых состояниях, называемых стационарными, каждому из которых соответствует определенная энергия E_n. В этих состояниях атом не излучает электромагнитных волн(m_eυr = nħ (n = 1,2,3,…), где n – главн квант чис, m_e – м покоя элек, υ –элект, r –орбит, ħ – постоян Планка.

2. При переходе атома из одного стационар сост в др испускается или поглощается квант энергии ΔE = hν. Излучение фотона происходит при переходе атома из состс боль энерг в сост с мен энер-й. При обратном переходе поглощкванта энер: hν = E_n - E_m..3все стацион состя, явл стац условно. Бескондолго каждый атом может наход лишь в стац состс миним запасом энергии. Это сост атома называется основным. Все ост стац сост -возбужденными.

У-ие дебройля

Для частиц движущихся со , импульс равен и . Следовательно, L волны тем меньше, чем больше m частицы и её скорост . Для электронов с энерг от 1 эВ до 10 000 эВ длина волны от ~ 1 нм до 10⁻² нм, то есть в интервале длин волн ренген излуч. волновые св электронов проявлятся.

^{2.3у-ие Шредингера}

Ура-ие, опис изменение в простр и во времени чист сост, задаваемого волновой функц, в гамильтоновых квантовых сист. урав движения квантовой частицы. равн для частиц без спина, движущихся со скоростями много меньшими скорости света. Зависимое от времени уравнение (общий случай)

уравнение Шрёдингера

^{2.3орбиталь}

Главное квантовое число(n)

Орбитальное квантовое число (l)

Орбит квант число описыв форму орбитали, и форму электр облака. 1 — s 2 — p 3— d 4— f — g 6 — h.для электрона первого энергетического уровня (n = 1) возможна только одна форма орбитали, для второго энергетического уровня (n = 2)