Акцепторная примесь, зонная структура. Энергия ионизации акцепторов. Эффективная концентрация носителей заряда. Принцип электрической квазинейтральности полупроводника.

10) Механизмы рекомбинации. Типы ловушек и их энергетические уровни. Излучательная рекомбинация. Механизмы безизлучательной рекомбинации.
Процесс перехода электрона из ЗП на свободный энергетический уровень ВЗ с выделением энергии равной ширине ЗЗ – рекомбинация
Рекомбинация происходит из З.П. в В.З.(непосредственная межзонная рекомбинация) или через ловушки(ступенчатая)
Межзонная непосредственная рекомбинация-совершается при взаимодействии электрона и дырки.
Ступенчатая - полупроводник р-типа: электроны из З.П, встречаются с ловушкой, захватываются ею. Переход на уровень ловушек-медленный процесс, т.к. он опред-ся столкновением е с ловушками, а концентрация е в п/п р-типа мала.
Электроны из ловушки переходят в ВЗ - относительно быстрый процесс, т.к. он определяется захватом дырок ловушками, а концентрация дырок велика. При рекомбинации соблюдается закон сохранения импульса.
Излучательная рекомбинация: происходит выделение энергии в виде фотона с частотой ν=Ез/h.Излучение возможно когда импульс электрона и дырки до рекомбинации имеют одинаковые величины но противоположные направления.
Безызлучательная рекомбинация: Происходит в Si, Ge в которых зависимости энергии от импульса электронов и дырок не совпадает между собой.
Ступенчатая рекомбинация через ловушки-энергия отдается с ∆Ез/2 а число фононов уменьшается на несколько порядков.
С ростом Т время τ увеличивается из за уменьшения вероятности захвата ловушками неосннз вследствие увеличения скоростей. 

11) Законы распределения равновесных носителей заряда в энергетических зонах. Распределение Ферми-Дирака для электронов и дырок.
Вероятность фактического нахождение е на энергетическом уровне и закономерность распределения уровней определяется с помощью статистики Ферми-Дирака. Она позволяет вычислить вероятность заполнения е-нами энергетического уровня с энергией E

Концентрация электронов в зоне проводимости. Концентрация дырок в валентной зоне. Собственная концентрация носителей заряда.

Если концентрация е-нов в зоне проводимости < числа разрешенных энергетических состояний, то вероятность того что е-н окажется в одном и том же энергетическом состоянии очень мала => пользуются классической статистикой Максвелла-Больцмана.

n*p= NcNv * exp[ ] = NcNv * exp[ ]