Дрейфовое движение носителей заряда.

В твердом теле движущиеся электроны испытывают столкновение с узлами кристаллической решетки, примесями т.е. испытывает рассеяние, при которых изменяется скорость и квазиимпульс электрона что сопровождается возбуждением или поглощением фононов. Равноускоренное движение под действием поля возможно только в коротких интервалах между столкновениями называемых средним временем свободного пробега tП. Расстояние которое НЗ успевают пройти за это время называется длиной свободного пробега. Vдр=a*tn=E*q*tn/m*=Eµ
Коэффициент пропорциональности между скоростью дрейфа и напряж-ю называется подвижностью m. .

Подвижность носителей зарядов зависит от эффект-ой массы свободных НЗ и имеет разные значения для е и р. подвижности электронов n и дырок p имеют различное значение (n >p)Зная подвижность электронов и дырок можно определить значение плотности дрейфового тока . . Суммарная
плотность дрейфового тока электронов и дырок:

Удельная электропроводность полупроводника определяется соотношением . .
Диффузионное движение носителей заряда
Диффузия происходит при разных конц НЗ в п/п. Диффузионное движениепроисходит под действием градиента концентрации. Фn=-Dn(dn/dx). Поток частиц Фn пропорционален градиенту конц взятым с обратным знаком. Поскольку

направленное движение частиц это электрический ток то плотность дифференциального тока равна:

;    где dn/dx, dp/dx - градиенты концентраций электронов и дырок;

Одновременно с диффузией идет рекомбинация, поэтому избыточную конц ум-ся в напр-ии от места избытка. Диффузионная длина-расстояние на кот диффундируют НЗ за время жизни τ.

- скорость диффузии

Электропроводность полупроводников. Температурная зависимость подвижности носителей. Температурная зависимость удельной проводимости.

Виды электрических переходов. Работа выхода и энергия электронного сродства.

Виды:

18.Классификация р-н-переходов. Структура электронно-дырочного перехода. Область пространственного заряда. Эмиттер и база в р-н-переходе.

ъ\

Зонная структура р-н-перехода, потенциальный барьер.