Температурный коэффициент напряжения туннельного пробоя.Температурный коэффициент

 напряжения лавинного пробоя. Тепловой пробой

Одной из отличительных особенностей лавинного и туннельного пробоев яв-ся разный знак температурного коэффициента пробивного напряжения. Это объясняется тем, что напряжение туннельного пробоя находится в прямой зависимости от ширины з.з., поэтому уменьшение величины з с ростом температуры вызывает уменьшение Uz . Напряжение лавинного пробоя находится в обратной зависимости от подвижности, поэтому уменьшение величины µ с ростом температуры вызывает увеличение UM.

В основе теплового пробоя лежит саморазогрев перехода при протекании обратного тока. С ростом температуры обратные токи резко возрастают, и соответственно увеличивается мощность, рассеиваемая в переходе; это вызывает дополнительный рост температуры и т.д. Тепловой пробой может начаться лишь тогда, когда обратный ток уже приобрел достаточно большую величину в результате лавинного или туннельного пробоя.

Важной особенностью ВАХ яв-ся обратная зависимость м/у прямым напряжением и тепловым током: чем меньше тепловой ток, тем больше прямое напряжение и наоборот. Еще один факт, что прямое напряжение уменьшается с увеличением площади перехода

33.Инерционные свойства p-n перехода. Барьерная емкость. Вольт-фарадные характеристики перехода.

Инерционные свойства электронно-дырочного перехода

Электронно-дырочного переход является инерционным элемен­том по отношению к быстрым изменениям тока или напряжения, по­скольку новое распределение носителей заряда устанавливается не сразу. Инерционность процессов обусловлена следующими явления­ми:

1) накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе в процессе их инжекции или экстракции. Движение носителей в базе определяется законами диффузии и происходит относительно медленно.

2) перераспределением носителей заряда в области перехода.

Следовательно, электронно-дырочный переход наряду с прово­рностью, обладает электрической емкостью. Условно говоря, можно считать эту емкость подключенной параллельно р-н-переходу.

Барьерная (зарядная) емкость определяется изменением нескомпенсированного заряда ионов при изменении ширины запирающего слоя под воздействием внешнего обратного напряжения. Поэтому идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский конденсатор, емкость которого определяется соотношением:

Барьерная емкость обусловлена токами смещения, а диффузионная - токами проводимости

Зависимость емкости от напряжения называется вольт- фарадыой характеристикой (рис. 6.24). Форма вольт-фараднойхарак­теристики зависит от распределения концентрации примесей в пер” ходе

Вольт-фарадпая характеристика

Диф емкость.

Обусловлена возрастанием заряда в базе за счет инжекции и диффузии нз, определяется зарядом неосновных нз, накопленных в базе.

Для малого синусоидального сигнала ( ) на низких частотах

При больших сигналах ( ):

Диф емкость яв-ся функцией прямого тока.

35. Переходные процессы.

Рассм переход, представленный в виде эквивалентной схемы. На переход от генератора, через внеш резистор R, подается импульсное напряжение Uг(t)