Нагреватель кварцевый, 220В, 2 лампы, 1 кВт

Данный нагреватель позволяет провести нагрев в вакуумной камере до температуры 200-400 градусов.

Возможна установка нескольких нагревателей.

Нагреватель не работает при горении плазмы в камере (нагрев должен осуществляться до поджига плазменного разряда).

Нагреватель типа ТЭН, плоский, диаметр 30 см

Данный нагреватель позволяет провести нагрев в вакуумной камере до температуры 300 градусов.

Нагреватель может работать при горении плазмы в камере.

Материал ТЭНа - нержавеющая сталь.

Труба ТЭНа бесшовная.

Нагреватель типа ТЭН, спиралевидный, диаметр 20 см, высота 40 см, фланец CF2.75", 220В

Данный нагреватель позволяет провести нагрев в вакуумной камере до температуры 300 градусов.

Нагреватель может работать при горении плазмы в камере.

Материал ТЭНа - нержавеющая сталь.

Труба ТЭНа бесшовная.

Применение потенциала смещения в технологии осаждения покрытий. Влияние на скорость осаждения и структуру покрытия.

           В технологии осаждения покрытий применяются:

1. Отрицательное смещение подложки (проводящие подложки, влияет на структуру покрытия и его свойства)

2. Импульсное отрицательное смещение (проводящие/диэлектрические подложки, то же)

3. Импульсное положительное смещение (применяется для подавления микродуг на осаждаемой поверхности)

Применение потенциала смещения:

1. Нагрев подложки

2. Чистка поверхности подложки

3. Управление структурой покрытия

Рис. К вопросу о зависимости скорости осаждения покрытия от пот. смещения.

При увеличении отрицательного потенциала смещения:

- увел. распыление осаждающихся частиц

- увел. распыление материала подложки

- удаление загрязнений

- увел. температура подложки

- радиационно-стимулированная диффузия осаждающегося материала в подложку

- увел. мигрирование осажденных атомов по поверхности подложки, как следствие увел. прочность и адгезии покрытия к подложке.

Величины:

Чистка и нагрев порядка -1000В

Осаждение чистых металлов -20..-50В

Осаждение соединений до -250 В и более

Ионной бомбардировкой (подачей отрицательного пот. смещения) можно управлять механизмом образования покрытия в процессе роста при помощи энергии, поставляемой в конденсат (покрытие).

Ионная бомбардировка

- увел. плотность центров зародышеобразования

- увел. подвижность атомов

- уменьшает количество вакансий и пор

- вводит тепловую энергию непосредственно в поверхностную зону, стимулируя протекание реакций и диффузионных процессов

- изменяет размер зерен

Можно влиять на:

Шероховатость покрытия

Коэффициент преломления

Коэффициент трения

Твердость покрытия