Контроль аналоговых микросхем

Широкая номенклатура аналоговых ИМС предопределяет большое количество измеряемых параметров. Каждый тип аналоговой ИМС характеризуется совокупностью параметров.

Таблица 8.

Электрические параметры ТТЛ-ИМС различных серий

Таблица 9.

Предельно допустимые режимы эксплуатации для ТТЛ-ИМС различных серий

Таблица 10.

Параметры ИМС ОУ общего применения

Параметр	КР140УД1	К140УД5	К140УД6	К140УД7	К140УД8	К140УД9	К140УД20*	К544УД1	КМ551УД2*	К533УД1	К533УД2	К1401УД1**	К140УД14	К1409УД1
Коэффициент усиления по напряжению Кu, В/мВ	2	1	70	50	50	35	50	50	5	25	20	2	50	20
Напряжение смещения нуля Uсм, мВ	7	5	5	4	20	5	5	15	5	5	7,5	—	2	15
Дрейф напряжения смещения, ∆Uсм/∆Т, мкВ/град	20	-	20	6	50	35	2,0	20	1	0	1,5		-	-
Входные токи Iвх, нА	8*103	104	30	200	0,2	100	200	0,15	-	200	1500	150	2	2
Разность входных то­ков ∆Iвх, нА	1,5*103	5*103	10	50	0,15	—	50	0,05	—	50	500	—	0,2	1,2
Дрейф разности вход­ных токов ∆∆Iвх/∆Т, нА/град	30	-	0,1	0,4	-	1,5	0,5	-	-	—	—	—	—	0,02
Частота единичного усиления f1, МГц	5	14	1	0,8	1	—	0,55	1	0,8	—	1	2,5	0,3	—
Скорость нарастания выходного напряжения , В/мкс	0,5	6	2,5	До 10	5	5	0,3	2	0,03	-	0,5	0,5	—	4
Коэффициент ослабле­ния синфазного сигнала Кос.сф, дБ	60	60	80	70	64	80	70	70	70	80	70	—	85	—
Продолжение таблицы 10
Максимальный выход­ной ток Iвыхmax мА	3	3	25	20	20	22	20	20	2***	2***	2***	10	20	1,8***
Максимальное выходное напряжение Uвыхmax, В	6	6,5	11	11,5	10	10	11,5	10	11,5	10	10	-	13	18
Максимальное входное напряжение Uвхmax, В	1,5	3	15	12	10	7	-	10	10	5	10	-	10	10
Максимальное входное синфазное напряжение Uвх.сф.max, В	3	6	11	11	12	6	12	10	8	8	10	-	13,5	10
Напряжение источника питания Uип, В	±12,6	±12,6	±15,0	±15,0	±15,0	±12,6	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0
Ток потребления Iпот, мА	8	12	2,8	2,8	5	-	2,8	3,5	10	6	8,5	—	0,6	6
Наличие внутренней коррекции	Нет	Нет	Есть	Есть	Есть	Есть	Есть	Есть	Нет	Нет	Нет	Есть	Нет	Есть
Наличие защиты вы­хода в режиме короткого замыкания	»	»	»	»	»	»	»	»	Есть	Есть	Есть	Нет	Есть	»

* Двухканальный ОУ, параметры одного канала.

** Четырёхканальный ОУ, параметры одного канала.

*** Минимальное значение сопротивления нагрузки, кОм.

Функциональный контроль

Функциональный контроль микросхем состоит в реализации функциональных тестов, подачи на микросхему определенного набора входных тест-сигналов, формирование выходных эталонных сигналов и получении результатов логического сравнения эталонного и фактического выходного набор-сигналов. Функциональный контроль может быть проведен следующим образом:

1) в составе устройства;

2) в сравнении с эталоном;

3) алгоритмической генерации сигналов;

4) кодовым сигналом;

5) по заданной программе.

Для БИС запоминающих устройств наиболее эффективны алгоритмические сигналы; для БИС микропроцессоров – сигналы по заданной программе; для матричных БИС – псевдослучайные входы.

Считается, что наиболее эффективным является не сам функциональный контроль, а функционально-параметрический контроль. Он обеспечивает одновременно контроль функционирования микросхемы и контроль статических и динамических параметров. В настоящее время разработано большое количество тестов:

1. Алгоритм теста «бег» (для контроля ОЗУ). Выполняемые операции:

а) в каждой ячейке ОЗУ последовательно производят 2 обращения : запись кода и считывания и контроль;

б) код первой ячейки изменяется на противоположный и последовательно контролируется содержимое всех основных ячеек;

в) восстанавливается предыдущее состояние первой ячейки;

г) повторяют операции б), в) последовательно для всех ячеек ОЗУ.

2. Алгоритм «марш»:

а) запись кода по всем адресам;

б) считывание и проверка записанного кода и запись обратного кода при переходе от первой ячейки к последующей;

в) считывание, проверка, запись обратного кода в той же последовательности;

г) считывание, проверка и запись обратного кода при переходе от последующей ячейки к первой;

д) снова считывание, проверка и запись обратного кода при переходе от последующей ячейки к первой.