Контрольные карты для качественных признаков

Под качественными признаками понимают такие признаки, которые исследуются и оцениваются органами чувств. При этом стандарты устанавливают либо допустимую величину доли дефектов изделий, либо долю числа дефектов на 100 единиц изготавливаемых изделий:

,

,

,

Преимущество Р-карты: одновременно можно контролировать несколько признаков. Одинаковые по серьезности дефекты могут быть объединены в группу. Особенно удобна Р-карта при приемочном контроле сборных изделий. Если долю дефектных изделий Р_i умножить на объем выборки, относительно которой найдена эта доля, то получается число дефектных изделий в рассматриваемой выборке. Поэтому часто количество дефектов или дефектных изделий обозначают n_iP_i. Среднюю линию np-карты определяют:

,

,

Для оценки качества работы отдельного рабочего (или цеха в целом) применяют метод, в основе которого лежит бальная оценка. Определяют среднюю оценку за день – φ_i b вносятся в контрольную карту:

,

где k – число рабочих дней.

.

Критерии нарушения технологического процесса при выборочном контроле

Электрофизическая диагностика (ЭФД)электронных средств (ДНК)

Общие сведения об ЭФД

ЭФД основана на исследовании и анализе механизмов и причин отказов ЭС, на контроле и прогнозировании их качества (надёжности) по информативным параметрам. При этом предполагается наличие стохастической связи между качеством и начальными значениями информативных параметров. Можно выделить три обстоятельства, которые определяют возможность практического использования методов ЭФД:

1) возможность оперативного контроля и выявления потенциально ненадёжных изделий в процессе их изготовления;

2) возможность определять состояние изделий практически любой сложности;

3) возможность обеспечения высокой надёжности аппаратуры путем отбора для её комплектации электрорадиоизделий (ЭРИ) повышенного качества.

Достоинства ЭФД:

1. Простота получения информации.

2. Оперативность.

3. Возможность использования при автоматизированном контроле.

4. Ресурсосбережение по сравнению с испытанием на термоциклы и электротренировки.

5. Возможность надёжного проектирования.

Области применения:

1. Технологические испытания в дополнение к разрушающим испытаниям.

2. Технологические испытания взамен разрушающим испытаниям.

3. Входной контроль ЭРИ для отбора наиболее надёжной базы при сборке аппаратуры.

4. Анализ отказов в повторяющихся случаях и выявление скрытых дефектов, приводящих к отказам.

5. Исследование ЭРИ с целью прогнозирования их надёжности.

6. Разработка предложений для принятия решений при определении сроков эксплуатации аппаратуры.

Возможная эффективность ЭФД

1. Повышение проценты выхода годной продукции.

2. Снижение затрат на снижение санкции по рекламациям.

3. Сокращение затрат на испытания.

4. Снижение отказов ЭРИ в общей доле отказов аппаратуры.

5. Оперативность и повышение достоверности анализа отказов.

6. Снижение затрат на проведение исследований.

7. Объективность оценок состояния и принятия решений о продлении сроков эксплуатации.

Классификация методов ЭФД

В зависимости от способа наблюдения за проявлением особенностей ЭС принято различать три основные группы методов ЭФД по интегральным электрофизическим эффектам.

Первая группа основана на рассеянии или диссипации энергии внутри системы или во внешнюю среду. Вторая группа – на внутренних флуктуациях спонтанного типа. Третья группа – на нелинейности функциональных характеристик

При этом обычно выделяют шесть групп методов:

1) группа ВАХ;

2) группа вольт-фарадных характеристик;

3) группа удельного сопротивления;

4) группа пробивного напряжения;

5) группа шумовых параметров;

6) группа измерения параметров носителей заряда.

Конкретные методы приведены на рисунке 25.

Рисунок 25 – Методы ЭФД

Методы ВАХ

Группа методов ВАХ основана на получении, преобразовании и анализе зависимостей токов и напряжений, токов и сопротивления на входе и выходе путём сравнения вида ВАХ исследуемого образца и ВАХ образцового или контрольного изделия. Если в качестве примера взять транзистор, то различают входные и выходные характеристики для схем с ОБ и ОЭ. Если имеем входные характеристики, то по ним можно легко определить интегральное и дифференциальное сопротивления. Имея входные ВАХ для схем с ОЭ можно определить выходное сопротивление, коэффициент передачи, остаточное напряжение на открытом транзисторе, сопротивление насыщения, а также зависимости этих параметров от токов и напряжений. Методы ВАХ находят применение при исследовании влияния механических, тепловых и электрических нагрузок на возникновение дефектов, для выявления влаги, других загрязнений, для оценки распределения концентрации носителей заряда, а также для оценки эффективности различных операций технологического процесса на стадии лабораторных исследований и определительных испытаний.