Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Требования к сопротивлению нагрузки
Чтобы сохранить калибровку измерительного генератора по напряжению, сопротивление нагрузки должно удовлетворять требованиям: - если генератор калиброван по напряжению в режиме холостого хода, то сопротивление нагрузки генератора должно быть много больше выходного сопротивления генератора (Rнаг.>> RГ); - если же генератор калиброван при согласованной нагрузке (Rнаг.= RГ), то при подключении генератора к объекту контроля должно выполняться: Rнаг.= RГ. В общем случае, необходимо применять согласующее устройство:
Рисунок 20 – Схема сопротивлений
Rвх.согл..= Rнаг, Rвых.согл.= Rвых.сх. Сопротивление резистора выбирают таким образом, чтобы выполнялись 2 условия: 1) Rвх. согласующего устройства при подключенном объекте контроля должно быть равно Rнаг.; 2) Rвых. согласующего устройства при подключенном генераторе должно быть равно Rвых. Отключенной схемы: Rвых.согл..= Rвых.сх. Контрольно-измерительные приборы с симметричным входом или выходом подключаются к симметричным схемам через симметрирующие элементы.
Оценка и способы уменьшения погрешности измерения Контроль интегральных микросхем Общие сведения
Микросхемы низкой степени интеграции – законченный функциональный узел. Качество таких микросхем можно оценить по параметрам многополюсника. Следовательно, процесс контроля сводится к измерению электрических параметров на внешних выводах. Различают контроль статических и динамических параметров и функциональный контроль. Статические параметры измеряют после завершения переходного процесса как в самой микросхеме, так и в подключенных внешних цепях. Динамические параметры (характеризуют переходный процесс) измеряют в течении переходного процесса. При измерении динамических параметров на временной оси задают начало измерения и конец, или задают и измеряют временной интервал между уровнями сигнала. Функциональный контроль. Он обязателен для проверки работоспособности логических комбинационных микросхем, а также сложных преобразователей информации и запоминающих устройств. В процессе проведения функционального контроля проверяют правильность выполнения основной функции микросхемы. Кроме того, сравнивают выходную последовательность сигналов с расчетной. Средства контроля микросхем должны удовлетворять следующим требованиям: 1) реализовать заданные: метод контроля, режимы контроля, последовательность коммутации; 2) обеспечить заданную точность контроля; 3) обеспечить защиту микросхемы от различных перегрузок, которые возникают в цепях коммутации во время переходного процесса, а также обеспечивать защиту от статического электричества; 4) контактирующие устройства должны обеспечивать надежный контакт с микросхемой и не вызывать механических повреждений; 5) источники измерительных сигналов и измерители параметров при динамическом и функциональном контроле должны быть соединены с объектом контроля с учетом вышеназванных рекомендаций.
|
||
Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 258. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |