Контроль параметров гибридных интегральных схем

⇐ ПредыдущаяСтр 6 из 21Следующая ⇒

Таблица 5.

Методы и средства производственного контроля тонкоплёночных гибридных ИМС после основных операций изготовления

Технологическая операция	Контролируемые параметры	Методы контроля	Средства контроля	Вид контроля	Примечание
Очистка подложек	Чистота поверхности	Визуальный	Микроскоп МБС-200	Цех, ОТК—10%	Отсутствие различных загрязнений
Напыление резистивной пленки (сплошной слой)	Толщина Внешний вид Удельное поверхностное сопротивление	Резистивный, резонансно-частотный, ионизационный Визуальный Электрический	Приборы КС-2, КИТ-2. КСТ-1 Микроскоп МБС-200 Измеритель ИУС-1	В процессе напыления на подложках-спутниках Цех, ОТК – выборочно То же	— Равномерность покрытия В соответствии с ТД
Продолжение таблицы 5
Напыление проводящей пленки (сплошной слой)	Толщина Внешний вид	Резистивный, резонансно-частотный, ионизационный Визуальный	Приборы КС-2. КИТ-2, КСТ-1 Микроскоп МБС-200	В процессе напыления Цех, ОТК — выборочно	- Равномерность покрытия
Фотолитография доводящего слоя	Внешний вид	Визуальный	Микроскоп МБС-200	Цех, ОТК—100%	Рисунок должен соответствовать чертежу
Фотолитография резистивного слоя	Внешний вид Сопротивление резисторов	То же Электрический	То же МОСТ Р-336	То же Цех- 100% ОТК — выборочно	То же В соответствии с ТД
Напыление нижних обкладок, диэлектрика и верхних обкладок (каждый через маску)	Толщина Емкость конденсаторов Напряжение пробоя конденсаторов Внешний вид	Резонансно-частотный, ионизационный Электрический Электрический Визуальный	Приборы КИТ-2, КСТ-1 Прибор Л2-7 Прибор ПНХТ-1 Микроскоп МБС-200	В процессе напыления Цех— 100% ОТК—выборочно Цех, ОТК - выборочно Цех-100% ОТК—выборочно	В соответствии с ТД То же Рисунок должен соответствовать чертежу
Нанесение защитного слоя	То же	То же	То же	То же	То же
Скрайбирование и ломка подложек на платы	Внешний вид и размер плат	То же	То же	То же	Отсутствие сколов, царапин
Монтаж компонентов на плату	Внешний вид	То же	То же	То же	—
Монтаж плат на основание корпуса	То же	То же	То же	То же	—
Присоединение выводов	Внешний вид Прочность соединений	То же Механический, визуальный	То же Граммометр, микроскоп МБС-1	То же ОТК — выборочно (три соединения из партии)	—
Герметизация	Внешний вид, герметичность	Визуальный, горячим маслом	Микроскоп МБС-2, установка контроля герметичности УК1М-2	Цех, ОТК-100% То же	— —

Контроль параметров полупроводниковых структур

Таблица 6.

Методы и средства контроля параметров структур после основных операций изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС

Технологическая операция	Контролируемые параметры	Методы контроля	Средства контроля		Вид контроля	Возможные дефекты
Формирование партии пластин	Толщина, диаметр, прогиб Длина базового и дополнительного срезов Ориентация поверхности Тип электропроводности Поверхностные дефекты Чистота поверх-нрсти Удельное сопротивление	Визуальный >> Рентгеновская дифрактометрия Электрический Визуальный >> Электрический	Индикатор МИГ-1, установка для замера геометрических размеров Линейка Дифрактометр УРС-50ИМ, поворотное устройство Установка определения типа электропроводности Микроскопы МБС-1, МБС-2, линейка Микроскопы МБС-1, МБС-2, стол СМП-1 Измеритель ИУС-1		Цех — 100%, ОТК — 10% Цех, ОТК-5% Цех, ОТК - выборочно Цех, ОТК —5% Цех — 100%, ОТК —5% То же Цех, ОТК — выборочно (одна пластина)	Отклонение размеров от заданных в ТД То же Отклонения ориентации от допустимого, заданного в ТД - Трещины. сколы, царапины, риски Пятна, подтеки, следы мате риалов Отклонения сопротивления от заданного в ТД
Очистка поверхности	Чистота поверхности	Визуальный	Установка УВК-2, микроскопы МБС-1, МБС-2		Цех — 100%, ОТК-5%	Подтеки, разводы, пятна, светящиеся точки
Эпитаксиальное наращивание	Толщина слоя Удельное поверхностное сопротивление Плотность дислокаций и дефектов упаковки Целостность пластины	Фотометрический Электрический Визуальный >>	Спектрофотометры ИКС-14, ИКС-22 Измеритель ИУС-3 Микроскопы ММУ-1, ММУ-3 -		То же Цех, ОТК — выборочно То же Цех, ОТК-100%	Отклонения от норм, заданных в ТД То же >> Риски, сколы, трещины

Продолжение таблицы 6
Термическое окисление (нанесение оксида или нитрида)	Толщина слоя Пористость Плотность заряда Качество поверхности слоя	Визуальный, эллипсометрический Электрохимический, электронная микроскопия Вольт-фарадных характеристик Визуальный		Микроскопы МБС-1, МБС-2, цветовая таблица; эллипсометр Установка электроосажденния, электронный микроскоп Установка ИППМ-2 Лампа ЛБ-30	Цех- 100%, ОТК-5% Цех, ОТК — выборочно Цех. ОТК — выборочно Цех- 100%. ОТК-5%	Отклонения от норм, заданных в ТД То же Отклонения от норм, заданных в ТД Включения, проколы
Фотолитография	Внешний вид рисунка Размеры элементов рисунка (модуля) Плотность дефектов	Визуальный >> >>		Микроскопы МБС-1, МБС-2, микроинтерферометр МИИ-4 Микроскоп ММУ-3, микрометр МОВ-1Х1.6, микроинтерферометр МИИ-4 . То же	Цех— 100%, ОТК —5% Цех, ОТК - выборочно (5%) То же	Подтеки, остатки фоторезиста, разводы, пятна Уход размеров за пределы, заданные в ТД Проколы в слоях SiO2 (Si3N4), остатки слоев в окнах, выступы и впадины по контуру элемента
Локальная диффузия (ионное легирование)	Глубина диффузионного (легированного) слоя Удельное поверхностное сопротивление Пробивное напряжение	Визуальный на шлифах Электрический >>		Установка для получения шлифов Измеритель ИУС-3 Характериограф ПНХТ-1	Цех, ОТК — выборочно (одна пластина-спутник из каждой партии) То же Цех — 100% по тестовым срукту-рам, ОТК — выборочно	Отклонения от глубины, заданно в ТД Отклонения от норм, заданных в ТД То же
Металлизация	Чистота поверхности алюминиевой пленки Толщина алюминиевой пленки Адгезия алюминиевой пленки	Визуальный >> >>		Микроскопы ММУ-1, ММУ-3 Микроинтерферометр МИИ-4 Микроскоп МИИ-4	Цех -100%, ОТК-20% Цех, ОТК — 100% Цех, ОТК — выборочно (одна - две пластины из партии)	Поры, царапины Отклонения от толщины, заданной в ТД Отклонения, разрывы

Контроль толщины плёнок можно осуществлять также с помощью микроинтерферометра Линника (МИИ-4).

Контроль электрических параметров электронных средств

Методы контроля электрических параметров

В процессе производства РЭС используют 3 метода контроля электрических параметров:

1) по измерительным приборам;

2) сравнение с образцом;

3) метод замещения.

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 567 8 9 10 Следующая ⇒

Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 265.

stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда...