Реальные выходные ВАХ транзистора,включенного по схеме с общей базой

При UКБ = 0 и UЭБ > 0 характеристика имеет вид обычной ВАХ p-n-перехода в прямом направлении. При подаче запирающего напряжения на коллектор входные ха- рактеристики изменяются очень незначительно, что указывает на слабое влияние поля коллектора, на прохождение тока через эмиттерный переход. Это влияние обусловлено эффектом Эрли – уменьшением ширины (толщины) базы при увеличении обратного кол- лекторного напряжения вследствие расширения коллекторного перехода, что приводит к увеличению коэффициента α на доли процента и соответствующему росту тока. Наклон выходных характеристик в схеме с ОБ незначителен и также обусловлен эффектом Эрли. Собственный обратный ток коллектора IКБ0 кроме теплового тока IК0 включает также ток термогенерации IКТ и утечки IКУ. Характеристика передачи дается выражением (2). Активный режим соответствует первому квадранту выходных характеристик, в режиме двойной инжекции (второй квадрант) происходит спад коллекторного тока при неизменном эмиттерном токе. Это результат встречной инжекции c коллекторного перехода.

Входные характеристики транзистора в схеме с общей базой.Основноеуравнение,описывающее работу транзистора в схеме ОБ

Входными характеристиками транзисторов в схеме с ОБ представляют собой зависимость вида:

I_э=f(U_эб) при U_кб=const. (1.5)

При большом обратном сопротивлении коллектора ток мало зависит от коллекторного напряжения.

На рисунке 1.7 (а) показаны реальные входные характеристики германиевого транзистора.

Рис. 1.7. Входные характеристики биполярных транзисторов в схеме с ОБ:
а) германиевых типа МП -14 маломощных; б) кремниевых типа 2Т – 925 мощных

Эмиттерная характеристика при U_кб=0 подобна обычной характеристике полупроводникового диода. Условие U_кб=0 означает короткое замыкание коллектора с базой. При подаче отрицательного коллекторного напряжения эмиттерная характеристика смещается в область с большей крутизной (рис. 1.7.).

То, что коллекторное напряжение влияет на положение эмиттерной характеристики свидетельствует о наличии внутренней обратной связи.

При U_кб=0 характеристика приходит через начало координат. При некотором отрицательном напряжении U_эб<0 в эмиттерной цепи устанавливается обратный ток I_эбо (ток I_эбо можно измерить при обратном включении эмиттерного перехода и разомкнутой цепи коллектора, т.е. при I_к=0).

Входные характеристики кремниевого транзистора показаны на рис. 1.7 (б). Они смещены от нуля в сторону левых напряжений, как и у кремниевого диода, смещение равно 0,6-0,7 В. По отношению к входным характеристикам германиевого транзистора составляет 0,4 В.