Параметры транзистора как четырехполюсника. H-параметры

Биполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для такой схемы.Для транзистора как четырехполюсника характерны два значения тока I₁ и I₂ и два значения напряжения U₁ и U₂ (рис. 5.23)

В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие в качестве выходных, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника. Это системы z-параметров, y-параметров и h-параметров. Система h-параметров

 Система h-параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U₂ = 0) и режим холостого хода на входе ( I₁ = 0). Поэтому для системы h-параметров в качестве входных параметров задаются ток I₁ и напряжение U₂, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I₂ и напряжение U1, при этом система, описывающая связь входных I₁, U₂ и выходных I₂, U₁ параметров, выглядит следующим образом: U₁ =h₁₁ I₁+h₁₂I₂. Значения коэффициентов в уравнении для h-параметров имеют следующий вид:

Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр.

55)

Связь H-параметров с физическими параметрами транзистора(уравнения).

Рассмотрим связь h-параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой с дифференциальными параметрами. Для этого воспользуемся эквивалентной схемой биполярного транзистора на низких частотах, показанной на рисунке 5.24а, а также выражениями для вольт-амперных характеристик транзистора в активном режиме. Получаем(левая картинка):

Для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (рис. 5.24б) выражения, описывающие связь h-параметров с дифференциальными параметрами, будут иметь следующий вид(картинка сверху справа):

57)Полевые транзистроры, определение классификация,условныеобозначения,схемы включения с общим истоком. полевой транзистор – п/п прибор, управление током в котором осуществляется изменением проводимости канала под воздействием электрического поля перпендикулярного по направлению тока. НЗ – либо электроны, либо дырки.
 Классификация: С управляющим переходом- п-н переход или барьер Шотки
, С изолированным затвором (МДП)-со встроенным каналом, с индуцированным каналом

58) Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Принцип действия.Напряжение отсечки. Напряжение насыщения.

При подаче +напряжения между С и И возникает дрейфовое движение электронов в канале от И к С, в цепи протекает ток стока. При обратном смещении на затворе происходит увеличение толщины обедненных слоев перехода. Область перехода смещается в канал и уменьшается площадь сечения канала, его проводимость и уменишается ток стока.
Напряжение отсечки .При увееличении по модулю напряжения на З канал сужается, можно добиться полного перекрытия канала и сопротивление м/у С и И будет высоким, а ток стока стремится к 0.
Напряжение насыщения.

59)Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Выходные и передаточные характеристики.