Температурные зависимости парметров ПТ. Инерционные свойства.

При повышении температуры у полевых транзисторов:

- возрастает обратный ток управляющего p-n перехода, вследствие чего снижается входное сопротивление r_вх;

- уменьшается ширина управляющего p-n перехода, поэтому возрастает ширина канала и увеличивается ток стока;

- снижается подвижность носителей зарядов, что уменьшает ток стока.

Два последних явления могут компенсировать друг друга, и в некоторой точке сток - затворной характеристики ток стока практически не будет зависеть от температуры (термостабильная рабочая точка).

Инерционные свойства транзистора. При быстрых изменениях входного сигнала, например , проявляются инерционные свойства транзистора. Они обусловлены конечным временем "пролета" носителей заряда через область базы, временем, необходимым на перезарядку емкостей эмиттерного и кол­лекторного переходов и на установление необходимых кон­центраций носителей зарядов. В итоге выходной сигнал (ток ) будет иметь искаженную форму.

В большинстве случаев считают, что в операторном виде изменение сигнала происходит в соот­ветствии с выражением

, (1.25)

где – статическое значение коэффициента передачи эмит­терного тока.

Постоянная времени , здесь – предельная частота, на которой коэффициент становится равным 0,7 своего статического значения (уменьшается на 3 дБ).

При необходимости учесть время задержки, выражение (1.25) несколько усложняют, вводя в числитель функцию :

. (1.26)

Иногда применяют другое приближение, которое является более сложным и менее удобным, но позволяет точнее аппроксимировать передаточную характеристику :

, (1.27)

где .

Инерционные свойства транзистора, характеризуемые из­менением коэффициента , находят путем подстановки в вы­ражение изображения . После преобразований

, (1.28)

где ; – коэффициент передачи базового тока в области низких частот; – пре­дельная частота при включении транзистора по схеме с ОЭ.

МДП-транзисторы со встроенным каналом.

Устройство МДП-транзистора (MOSFET) со встроенным каналом.

Физическое устройство МДП-транзистора со встроенным каналом отличается от типа с индуцированным каналом наличием между стоком и истоком проводящего канала.