Определение нестабильности рабочей точки

Выбор рабочей точки

Исходя из данных параметров, возьмём такие значения, чтобы транзистор работал в номинальном режиме:

-  В;

-  В;

- А;

- h_21э=112;

- I_об=2,68 мА

-

Определение нестабильности рабочей точки

Определим нестабильность рабочей точки (РТ) по формуле:

(3.1)где:

(3.2 – это слагаемое обязано температурной зависимости обратного тока коллекторного перехода. Здесь b = 0,1 - коэффициент пропорциональности; = 1 мкА – ток обратного хода коллектора; ∆t = 20^◦C; m выбирается из диапазона 4…6 для кремниевого транзистора,возьмем m = 5; h_21э – коэффициент передачи тока,h_21э = 112.

Подставляя данные в (3.2), получим:

= 170∙10^-6 А = 170 мкА.

    (3.4)

18 мА,

 – слагаемое, обязанное температурной зависимости h_21э.

(3.3)

 – уход РТ, обусловленный температурным сдвигом входных характеристик транзистора. Здесь Rвх равно коэффициенту h_11э, который определяется как:

h_11э = r_б + r_э∙(1 + h_21э).

r_б – сопротивление базы, равное:

r_б ,

r_э – сопротивление эмиттера, равное:

 = 67,8 Ом

Подставляя в формулу для h_11э, получим:

R_вх=h_11э= 7,675 кОм + 67,8 Ом = 7,743 кОм, подставляя все в (3.3), получим:

(3.5)

 - обусловлена технологическим разбросом параметров транзистора в процессе производства. ∆h_21э определяется как: ∆h_21э = h_21эmax – h_21э. Подставляя данные в (3.5), получим:

Суммируя найденные нестабильности, получим: