Выбор схемы и типа транзисторов

В качестве активного элемента УРЧ применим биполярный транзистор (БПТ). Будем использовать каскадную схему для получения наибольшего коэффициента передачи.

Рисунок 5. Принципиальная схема УРЧ.

Такая схема УРЧ отличается большим устойчивым коэффициентом усиления, по сравнению с обычным резонансным усилителем на одном БПТ, включенным по схеме с ОЭ. В данной схеме транзистор VT2 включен по схеме с ОБ, VT1 – по схеме с ОЭ. При таком включении ослабляется паразитная внутренняя ОС в транзисторе. Из-за нее резонансный усилитель может самовозбуждаться, а так как ВЧ и СВЧ транзисторы имеют емкость коллектора больше 1 пФ, то в обычной схеме резонансного усилителя на частотах порядка 100 МГц и выше получить устойчивый коэффициент усиления более 2…3 раз невозможно. В каскадных схемах включение двух транзисторов эквивалентно, с точки зрения устойчивости КУ, схеме резонансного усиления на одном транзисторе, но где используется транзистор с емкостью коллектора примерно на два порядка меньшей величины.

R1, R2, R5 элементы, обеспечивающие необходимое напряжение смещения на базе Uоб, которое определяет рабочую точку. Сэ – блокировочный конденсатор большой емкости, необходимый для устранения ОС. С1, С2 – делитель с коэффициентом включения р2.

R5 предназначен для температурной стабилизации рабочей точки. Известно, что R5,помещённый в эмиттере транзистора кроме стабилизации рабочей точки создаст отрицательную обратную связь по сигналу, которая непременно тот час же уменьшит коэффициент усиления. Чтобы этого не произошло ООС, созданнуюR5, нужно убрать. Это достигается с помощью блокировочного конденсатора С6, который коротит С5, убирая тем самым ООС.

Коллектор VT-1 подключается к резонансному колебательному контуру частично с коэффициентом подключения р1.

При выборе транзисторов необходимо руководствоваться следующим принципам:

а) Частота единичного усиления транзистора должна быть, по крайней мере, в 10 раз больше частоты, на которой он работает.

б)Рабочее напряжение между коллектором и эмиттером должно быть не меньше напряжения питания.

Получаем:

а) f₁> 10f₀ = 730 МГц;

б) Р_маx=1,5 Вт;

в) U_кэвых>Еп = 12 В;

Всем этим требованиям удовлетворяет транзистор 2Т610А. Это кремниевый сверхвысокочастотный транзистор средней мощности, коэффициент шума которого не превышает коэффициента шума приемника.

Таблица 2.Параметры транзистора 2Т610А:

Исходя из этих характеристик, возьмем следующие, приемлемые для нормальной работы транзистора:Uoб = 0,7 В; Iok = 0,3 А.

Определим ток базы: I_об =  2,68 мА.

U_0k= U_0k1= U_0k2= (E_п – U_Rф – U_0э)/2 = (12 – 3,6 – 3,6)/2 = 2,4 В.

U_Rф выбирается из условия: U_{Rф =} = 3,6 В.

U_0э выбирается из условия: U_0э= = 3,6 В.