Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Чем определяется напряжение питания в этих схемах, и зависит ли оно от входного вентиля (МОП-вентили ИЛИ-НЕ и И-НЕ)?
МОП вентиль И-НЕ.
Недостаток схемы: Напряжение питания зависит от количества аргументов.
МОП вентиль ИЛИ-НЕ.
Т1-Т2 – логическая часть Т3 – нагрузочная часть
С увеличением количества вентилей в данной схеме ухудшается задержка. Инжекционный элемент И-НЕ. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
Синтезировать математические модели и принципиальные схемы элемента ИЛИ в КМОП-схемотехнике. Инжекционный элемент ИЛИ-НЕ. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.
Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы И, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей. Методика проектирования устройств ЭВМ в базисе ТТЛ. Привести пример. Алгоритм проектирования сложных схем в базисе ТТЛ И-НЕ можно записать следующим образом: . 1. Взять МДНФ(F) – минимальную дизъюнктивную нормальную форму функции F. 2. Взять ее двойное отрицание. 3. Раскрыть внутреннее отрицание, использую закон Де Моргана, оставив внешнее отрицание. Пример: В соответствии с алгоритмом проектирования преобразуем правую часть равенства: В соответствии с полученным логическим уравнением нарисуем схему в базисе ТТЛ И-НЕ.
Синтезировать в различных схемотехнических базисах схемы ИЛИ, математические модели которых содержат минимальное количество полупроводниковых областей. Сравнить математические модели n-МОП и КМОП инверторов. Синтезировать их трехмерные структуры. |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 209. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |