Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Чем хороша и чем плоха схема МОП-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?




Вариант 3. МОП инвертор с одним источником питания.

x T1(лог) T2(нагр)

выход

0 закрыт открыт Uвых~E 1
1 открыт закрыт ~0 0

Достоинство: в режиме когда на выходе логический ноль и Т2 закрыт, потребляемая мощность равна нулю, т.е. у третьей модификации потребляемая мощность меньше чем у первой и второй модификаций.

Недостаток: увеличение выходного сопротивления в момент запирания Т2 приводит к снижению быстродействия. Быстродействие у третьей модификации меньше, чем у первой и второй модификаций.

Схема источника опорного напряжения ЭСЛ-вентиля.

К базе транзистора Т2 подключается эмиттер эмиттерного повторителя Т5R8, а ко входу этого эмиттерного повторителя – выход резистивного делителя напряжения.

Делитель не простой, поскольку дополнительно содержит два диода D1 и D2 (по количеству переходов база-эмиттер до точки С, постоянство потенциала которой нужно обеспечить даже при изменении температуры): φС=const.

Точка В является центральной по отношению к двум последовательно включенным переходам база-эмиттер второго и пятого транзистора и двум диодам в цепи делителя напряжения.

В зависимости от температуры напряжение на переходе меняется. При повышении температуры напряжение на переходах уменьшается и наоборот.

Предположим, что увеличивается температура – напряжение на переходах и диодах падает. Падение напряжений на диодах приведет к увеличению тока в делителе напряжения R4 D1 D2 R7. Это приведет к увеличению падения напряжения на резисторе R4 и, как следствие, к снижению потенциала узла В. Поэтому уменьшенные напряжения на переходах база-эмиттер транзисторов Т2 и Т5 не приведет к изменению потенциала в точке С.

Синтезировать схему ТТЛ с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.  17 вопр

Реализация сложных логических функций на МОП-транзисторах. Привести примеры.

1. Сначала в соответствии с функцией, которая обязательно должна иметь общую инверсию, реализуем между «землей» и выходом подынверсное выражение с помощью второго и третьего принципов синтеза схем на МОП транзисторах.

2. Между выходом и питанием реализуем общую инверсию в виде нагрузочного МОП транзистора (первый принцип синтеза схем на МОП транзисторах).

Пример:

Синтезируем схему на МОП транзисторах, реализующую функцию .

Так как у функции отсутствует общая инверсия, необходимо ее «организовать». Взяв двойную инверсию над правой частью равенства и преобразовав ее, мы получим логическое уравнение с требуемой общей инверсией:

Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур.










Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 200.

stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда...