Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Чем хороша и чем плоха схема МОП-инвертора, у которой затвор нагрузочного транзистора подсоединен к выходу схемы?
Вариант 3. МОП инвертор с одним источником питания.
Достоинство: в режиме когда на выходе логический ноль и Т2 закрыт, потребляемая мощность равна нулю, т.е. у третьей модификации потребляемая мощность меньше чем у первой и второй модификаций. Недостаток: увеличение выходного сопротивления в момент запирания Т2 приводит к снижению быстродействия. Быстродействие у третьей модификации меньше, чем у первой и второй модификаций. Схема источника опорного напряжения ЭСЛ-вентиля. К базе транзистора Т2 подключается эмиттер эмиттерного повторителя Т5R8, а ко входу этого эмиттерного повторителя – выход резистивного делителя напряжения. Делитель не простой, поскольку дополнительно содержит два диода D1 и D2 (по количеству переходов база-эмиттер до точки С, постоянство потенциала которой нужно обеспечить даже при изменении температуры): φС=const. Точка В является центральной по отношению к двум последовательно включенным переходам база-эмиттер второго и пятого транзистора и двум диодам в цепи делителя напряжения.
В зависимости от температуры напряжение на переходе меняется. При повышении температуры напряжение на переходах уменьшается и наоборот. Предположим, что увеличивается температура – напряжение на переходах и диодах падает. Падение напряжений на диодах приведет к увеличению тока в делителе напряжения R4 D1 D2 R7. Это приведет к увеличению падения напряжения на резисторе R4 и, как следствие, к снижению потенциала узла В. Поэтому уменьшенные напряжения на переходах база-эмиттер транзисторов Т2 и Т5 не приведет к изменению потенциала в точке С. Синтезировать схему ТТЛ с простым инвертором с тремя состояниями. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. 17 вопр Реализация сложных логических функций на МОП-транзисторах. Привести примеры. 1. Сначала в соответствии с функцией, которая обязательно должна иметь общую инверсию, реализуем между «землей» и выходом подынверсное выражение с помощью второго и третьего принципов синтеза схем на МОП транзисторах. 2. Между выходом и питанием реализуем общую инверсию в виде нагрузочного МОП транзистора (первый принцип синтеза схем на МОП транзисторах). Пример: Синтезируем схему на МОП транзисторах, реализующую функцию . Так как у функции отсутствует общая инверсия, необходимо ее «организовать». Взяв двойную инверсию над правой частью равенства и преобразовав ее, мы получим логическое уравнение с требуемой общей инверсией:
Синтезировать многобазовый транзистор и вентиль (или вентили) на его основе. Принципиальная схема, работа, математическая модель, варианты топологий и структур. |
|||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 200. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |