Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
МДН (МОН)- ТРАНЗИСТОРИ З ІНДУКОВАНИМ КАНАЛОМ
На рис.39 наведена структура МДН- транзистора з індукованим каналом. Рисунок 39 - Принцип побудови МДН-транзистора з індукованим каналом n-типу
В початковому стані каналу немає. Він виникає (індукується) тільки в процесі роботи транзистору при певній Uзв. Пластина слабо легована. Опір високий. Крім того виток и стік утворюють з пластиною 2 p-n- переходи увімкнені назустріч, один з яких включений зворотно. Тому при поданні напруги Uсв і при Uзв=0 Іс = 0. При Uзв<0 не може бути істотної провідності між витоком і стоком, коли до поверхні НП притягаються додаткові дірки, Іс = 0. При позитивній напрузі на затворі відносно витоку Uзв>0>Uпор поверхневий шар на межі НП з діелектриком збагачується електронами, які притягуються з глибини р-шару (де вони є завдяки тепловій генерації вільних носіїв заряду) до затвору: виникає явище інверсії НП у примежовій зоні, коли р-шар стає n-шаром. Таким чином, між зонами n-шарів наводиться (індукується) канал, по якому може протікати струм. Такий транзистор діє тільки в режимі збагачення. На рис.40 наведені ВАХ МДН-транзистора з індукованим каналом. Рисунок 40 - Стокові (а) і стокозатворні (б) ВАХ МДН-трнзисторів з індукованим каналом
Величина Uпор залежить від концентрації домішок в НП та товщини діелектрика (прямо пропорційна). Переваги польових транзисторів: - великий вхідний опір Rвх – для унітронів 107 - 102 Ом, для МДН транзисторів 1012 - 1015 Ом; Він практично дорівнює для унітронів опору зворотно включеного p-n – переходу, а для МДН – опору діелектрика; - низький рівень власних шумів, тому що у польових транзисторах струм утворюється одним типом носіїв. Це виключає рекомбінацію носіїв, яка є однією з причин шумів у транзисторів; - висока щільність розташування елементів в кристалі; - висока термо- та радіаційна стійкість; - високий коефіцієнт підсилення потужності; - низька вхідна ємність, високі частотні властивості (для МДН транзисторів).
ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ: І Чому транзистор навивають "польовим"? Які інші назви він має? Поясніть ці назви. 2 За рахунок якого явища відбувається у польовому транзисторі керування вихідним струмом? Поясніть принцип дії польового транзистора з керуючим переходом. 3 В чому основна відміна у принципі дії польового та біполярного транзисторів? 4 Чи впливав величина вхідногоструму польового транзистора на величину його вихідного струму? 5 Чому польовому транзистору притаманний більший(у порівнянні з біполярним) вхідний опір? 6 Чому малість вхідного струму польового транзистора може вважатися його важливою перевагою перед біполярним транзистором? 7 3 яких двох характерних ділянок складаються вихідні характеристики польового транзистора? Дайте їм пояснення. 8 В якій області об’єму польового транзистора відбувається основне виділення тепла та саморозігрівання? 9 Якими параметрами характеризуються польові транзистори? Чому для їх описання не використовуються -параметри? 10 Чим визначаєтьоя верхня гранична частота польового транзистора? 11 Чому на еквівалентній схемі польового транзистора не зображаються вхідні кола? 12Чому МДН-транзиотор з індукованим -каналом відкривається лише при досить великій негативній напрузі на затворі? ІЗ Чому в МДН-транзиоторі струм між витоком тастоком йде тільки каналом, а не замикається черезматеріал підкладки? ВИКЛАДАЧ– Ковальова Т.І.
ЛЕКЦІЯ № 14 (2 год.) |
||
Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 303. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |