КЛАСИФІКАЦІЯ ТРАНЗИСТОРІВ. БУДОВА Й ПРИНЦИП ДІЇ БІПОЛЯРНОГО ТРАНЗИТОРА (БТ) 

Транзистори - це напівпровідникові прилади, які мають один чи декілька p-n переходів, призначені для підсилення потужності сигналів і мають 3 і більш виводів.

За принципом дії транзистори поділяються на:

- біполярні - НП прилади в яких використовуються носії зарядів обох знаків (електроні

і дірки), мають 2 p-n – переходи, керуються струмом;

- уніполярні (польові) – використовують носії зарядів одного знака, керуються електричним полем;

- одноперехідні (двобазовий діод);

- фототранзистори – керуються світлом.

Біполярні транзистори – мають три зони провідності, які утворюють два p-n- переходи. Ці області називають: емітерНА (джерело носіїв заряду), базова (має властивість керувати цими зарядами) і колекторна (збирає носії заряду). Відповідно, кожна з областей має свій вивід, який маркується: К - колектор; Б - база; Е - емітер.

Залежно від типу вільних носіїв заряду в цих областях, транзистори поділяються за типом на  p-n -p та n-p-n.

Рисунок 26 – Біплярний транзистор: p-n-p - типу – структура (а), схемне зображення (б); n-p-n- типу – структура (в), схемне зображення (г).

Наявність p-n- переходів визначає два стани транзистора: відкритий і закритий. У відкритому транзисторі струм проходить від емітера до колектора. Для цього в транзисторі типу p-n -p (рис.26,а) до кожного p-n –переходу потрібно прикласти напругу певної полярності, а саме: між емітером і базою – в прямому напрямку, тобто до емітера «+», а до бази «-»; між колектором і базою – в зворотньому напрямку – до колектора «-», до бази - «+». Для транзисторів n-p-n- типу полярність протилежна (рис.26,в).

За наявності прикладених напруг вільні заряди із зони емітера переходять у зону бази, де частина їх рекомбінує. За рахунок того, що область бази є невеликою (декілька мікронів), то більшість цих носіїв потрапляють під дією напруги U_БК i переходять в область колектора. Таким чином, уворюються струми емітера І_Е, бази І_Б та колектора І_К (рис.27), які підпорядковані першому закону Кірхгофа І_Е =І_К + І_Б, а зв'язок з вихідним і вхідним струмами визначається коефіцієнтом передачі за струмом:

α = ∆ І_К / ∆ І_Е = К_і , U_КБ = const.

Таке увімкнення називають із спільною базою, але враховуючи, що І_Б є незначним, практично приймають І_Е =І_К , то в такій схемі К_і <1, тому транзистор доцільно вмикати за схемою зі спільним емітером.

Рисунок 27 – Проходження струмів транзистора у відкритому стані