МДН (МОН)- ТРАНЗИСТОРИ З ВБУДОВАНИМ КАНАЛОМ

Польові транзистори з ізольованим затвором мають структуру метал – діелектрик – напівпровідник (МДН) або метал – оксид – напівпровідник (МОН).

У них металевий затвор відокремлений від напівпровідникового каналу тонким шаром діелектрика.

На рис.37 наведена структура МДН-транзистора з вбудованим каналом.

Рисунок 37 – Принцип побудови МДН-транзистора з вбудованим каналом

У слаболегованому кристалі кремнію Si р-типу технологічним шляхом утворено канал n-типу і області С та В (n+)

В залежності від полярності напруги U_зв канал збіднюється або збагачується на основні носії заряду внаслідок перерозподілу носіїв у пластині.

При наданні U_св і при U_зв =0 Іс = U_св /R_к (за законом Ома).

При U_зв > 0 електрони затягуються до каналу з ділянок С, В та пластини.

Канал збагачується носіями, R_к зменшується, І_с  збільшується – це режим збагачення.

При U_зв < 0 електрони виштовхуються поперечним електричнім полем з каналу, канал збіднюється на носії заряду, R_к збільшується, І_с  зменшується – це режим збіднення.

Таким чином, МДН – транзистори з вбудованим каналом працюють при Uзв = 0, у режимі збагачення та збіднення каналу носіями.

Іс управляється величиною та полярністю Uзв.               

На рис.38 наведені статичні вольт-амперні характеристики МДН-трнзисторів з вбудованим каналом.

                                            а)                                  б)

Рисунок 38 – Стокові (а) і стокозатворна (б) ВАХ МДН-трнзисторів з вбудованим каналом; І – режим збагачення, ІІ – режим збіднення