Вольт-амперные характеристики и параметры полевых транзисторов.

Стоковая характеристика. (рис А)

Ic = f(Uc) при Uзи = сonst. При увеличении положительного Uc увеличивается ic, сперва участок ОА почти линейный, но при увеличении icUзи падает и рост ic уменьшается, на участке А-В роста Uc нет – это режим насыщения.

Стоко- затворная характеристика. (рис. Б)

Ic=f(Uзи) приUc=const

Выводы: полевые транзисторы с р-п переходом могут работать только в режиме обеднения (сужения) канала, а полевой транзистор с изолированным затвором работает как в режиме обеднения (отрицательный потенциал) так и в режиме обогащения (положительный потенциал на затворе).

1. Крутизна характеристики (ВАХ)

2. Входное сопротивление между Затвором и Истоком.

3. Выходное сопротивление.

Достоинства:

1. Высокое входное сопротивление.

2. малый уровень собственных шумов.

3. высокая устойчивость против температурных и радиационных воздействий.

4. высокая плотность расположения элементов при использования приборов в интегральных МС.

Расшифровать маркировку КП201К, КП303И.

К – кремниевый, П – полевой транзистор, 2 – малой мощности и средней частоты, 01 – номер разработки, серии К.

К – кремниевый, П – полевой транзистор, 3- малой мощности и высокой частоты, 03 – номер разработки, серии И.

ТИРИСТОРЫ

Принцип работы и вольт -амперная характеристика динистора.

Динистор – 4-х слойный п/п прибор, который состоит из из 4-х последовательно чередующихся областей (р и n) и имеет выводы от 2-х крайних областей. (неуправляемые переключающий диод).

КАТОД– электрод, обеспечивающий электрическую связь с внешней b-областью, а внешней р-областью – АНОД Средний (коллекторный) переход заперт обратным ЭДС. Но, при увеличении тока, высота потенциального барьера резко падает и коллекторный переход открывается. Следовательно напряжение на приборе резко падает и в В.А.Х. сопротивление имеет отрицательную величину.

Области В.А.Х.:

I – область малого положительного сопротивления (прибор открыт),

II – область высокого отрицательного сопротивления,

III – область обратимого пробоя среднего р-п перехода,

IV – непроводящее состояние (средний р-п переход заперт),

V – область высокого сопротивления,

VI – область необратимого пробоя.

Принцип работы и вольт- амперная характеристика Тринистора.

Тринистор – это п/п прибор, представляющий собой 4-х слойную типа pnpn (npnp), имеющую вывод от и от одной крайних областей и одной внутренней (базовой) области. Это Управляемые переключающие диоды.

При увеличении ЭДС источника инжектированные одним изЭмиттером основные носители зарядов пересекают область, где они являются неосновными, частично рекомбинируя в ней.

Нерекомбинированные носители проходят через Коллекторный переход и оказавшись в области, для которой они являются основными, понижают высоту потенциального барьера, способствуя инжекции зарядов из второго Эмиттера, общий ток увеличивается

Далее процесс приращения продолжается и токи обоих транзисторов резко увеличиваются..

Т.О. Управляющий электрод регулирует напряжения переключения, а следовательно и работу прибора.