Принцип работы биполярного транзистора.

Принцип действия рассматривается на примере работы его в активном режиме. Здесь имеют место: 1) ИНЖЕКЦИЯ носителей зарядов из Эмиттера в Базу через пониженный потенциальный барьер прямонаправленного ЭМИТТЕРНОГО перехода; 2) РЕКОМБИНАЦИЯ носителей зарядов в БАЗУ; 3) ЭКСТРАКЦИЯ носителей заряда из Базы в Коллектор под действием ускоряющего электрического поля обратно направленного Коллекторного перехода.

1. При замыкании SA1 и SA2 через Эмиттерный переход осуществляется инжекция дырок из Эмиттера в Базу. Цепь тока: +Е1– mA1 – Э – Б – mA2 – SA2 – SA1 - -Е1.
2. При замыкании SA2 и SA3, размыкании SA1 перемещаются дырки Базы и электроны цепи Коллектора. Цепь тока: +Е2 – SA3 – SA2 – mA2 – Б – К – mA3 - -Е2.
3. 3. При замыкании всех SA1 SA2 SA3 транзистор полностью включен и работает в режиме насыщения.

Выходная статическая характеристика транзистора по схеме включения с ОБ

Статическая характеристика для схемы с общей базы

Ik = f(Uкб) приiэ=const. У характеристик почти прямые линии. Это объясняется тем, что ток коллектора создается за счет диффузии носителей заряда, проникающих из Эмиттера через Базу в Коллектор. При Iэ=с0 протекающий ток перехода К-Б обратный.

Выводы: 1) Входное сопротивление мало (1-15 Ом, т.к. малые изменения Uэ вызывают рост Iэ;; 2)Iк очень слабо зависит от Uк и поэтому Rвых велико и больше 1 Мом; 3) Транзистор по схеме включения с ОБ не дает усиление по току, а дает только усиление по напряжению и по мощности.

Выходная характеристика транзистора по схеме включения с ОЭ.

Статическая характеристика транзистора с общим эмиттером

Выходная характеристика транзистора.включенного по схеме с ОЭ – это зависимость

Ik = f(Uкэ) приIб=const

Следует заметить, что эти характеристики имеют больший наклон, чем характеристики транзистора с ОБ. Обратный ток К- Э при Iб=0 превосходит по величине в В раз Iкб обр.. На схему с ОЭ оказывает влияние температура, на схему с ОБ менее.

Достоинства транзистора по схеме включения с ОЭ.

1. Схема с ОЭ наряду с усилением по напряжению дает усиление по току. Следовательно усиление по мощности в нем намного больше чем в схеме с ОБ;
2. Транзистор, включенный по схеме с ОЭ имеет более приемлемые значения Rвх (больше) и Rвых (меньше)чем сОБ;
3. Схема транзистора включенного с ОЭ больше применяется на практике.

Работа транзистора в режиме ключа.

Режим работы транзистора в переключающем устройстве называется ключевым. Транзистор переходит из открытого состояния (режим насыщения) в запертое (режим отсечки) и наоборот.

Запирание: p-n переходы Э-Б и К-Б закрыты, их напряжения существенно малы 0,05 – 0,1 Вольт. При подаче отрицательного импульса на вход транзистора он переходит в режим насыщения и наоборот. АКТИВНЫЙ режим отсутствует.

                                                             Ключевая схема на транзисторе

Графическое пояснение работы транзистора в ключевом режиме

Режим отсечки:2-активный режим:3-режим на сыщения

Условно – графическое обозначение биполярных транзисторов с ОБ, ОЭ и ОК.

Расшифровать маркировку КТ333А, ГТ109А.

К- кремниевый , Т – транзистор, 3 – малой мощности и высокой частоты, 33 – номер разработки, серии А.

Г – германиевый Т – транзистор, 1 – малой мощности и низкой частоты, 09 – номер разработки, серии А.

Какие из указанных транзисторов целесообразно использовать в схеме Усилителя Мощности.

Т907А, ГТ109А

Первый, т.к. это 2- кремниевый, Т – транзистор, 9 – большой мощности и высокой частоты, 07 – номер разработки, серии А.