Принцип работы туннельного диода. Вольт - амперная характеристика, Условно графическое обозначение?

Принцип работы полупроводникового диода при прямом включении?

Принцип действия полупроводниковых диодов основывается на процессах, протекающих на границе раздела p и п -слоев, в электронно-дырочном переходе.

При включении внешнего напряжения в прямом направлении т.е. плюсом источника к выводу p -области, а минусом источника к выводу п - области происходит уменьшение потенциального барьера, что облегчает переход основных носителей заряда под воздействием диффузии через границу раздела в соседней области, а это приводит к увеличению диффузионного тока через p-n переход.

Вместе с тем дрейфовый ток через p-n переход, создаваемый потоками неосновных носителей заряда, подходящих из приграничных слоев, остается без изменения. Разность диффузионного и дрейфового токов определяет результирующий прямой ток, т.е. с повышением приложенного внешнего напряжения возрастает прямой ток чрез p-n переход. ВАХ диода в прямом включении имеет следующий вид:

Принцип работы диода при обратном включении. Вольт-амперная характеристика?

При подключении к диоду внешнего напрежения в обрабтном направлении потенциальный барьер вазрастает соотвественно затрудняется прохождение через р-н переход основных носотелей заряда, в следствии чего уменьшается диффузионный ток. Дрейфовый ток остается неизменым, 0днако он превышает диффузионныйток. Через диод будет протекать ток в обратном направлении,т.е. обратный ток

Принцип работы варикапа. Вольт-Фарадная характеристика, условно графическое обозначение?

Варикапы - полупроводниковые диоды, у которых используется барьерная емкость закрытого p-n перехода, зависящая от величины приложенного к диоду обратного напряжения. Основной характеристикой варикапа является зависимость его емкости от величины обратного напряжения. В.Ф.Х.

Электрические параметры варикапа:

-номинальная емкость Сном - емкость между выводами варикапа при номинальном напряжении смещения;

-максимальная емкость Сmax - емкость варикапа при заданном напряжении смещения;

-минимальная емкость Сmin - емкость варикапа при заданном максимальном напряжении смещения;

-коэффициент перекрытия Кс - отношение максимальной емкости диода к минимальной;

-максимально-допустимая мощность Pmax - максимальное значение мощности, рассеиваемой на варикапе, при котором обеспечивается заданная надёжность при длительной работе.

Принцип работы туннельного диода. Вольт - амперная характеристика, Условно графическое обозначение?

Туннельным называется полупроводниковый диод, в котором используется тунельный механизм переноса носителей заряда через p-n переход в характеристики которого, есть область отрицательного дифференциального сопротивления.

Особенность туннельного диода перед обычным заключается в его очень высокой рабочей частоте. Это объясняется тем, что туннельный переход электронов происходит практически мгновенно. Туннельные диоды могут работать на частотах до 100 ГГц. У туннельных диодов очень малая потребляемая мощность.

По назначению туннельные диоды могут быть, усилительными, генераторами и переключателями.

In-пиковый ток -прямой ток в точке maxВАХ

Iв- ток впадины-прямой ток в точке minВАХ

Un-<=>Inсоответствует Inmax

Uв-<=>Iв соответствует Iвmin

Upp-Uраствора,U второй выходной ветви.