Базовый ЛЭ ТТЛШ (серия К531)

Транзисторы Шоттки отличаются от обычных тем, что они не входят в глубокое насыщение, следовательно, в их базах в открытом состоянии накапливается мало носителей заряда, и в результате время их рассасывания меньше обычного.

Элементы ТТЛШ работают в ненасыщенном режиме (следовательно повышается быстродействие) и имеют низкую потребляемую мощность (в 4-5 раз). К531 – ЛЭ специального применения(с транзисторами Шотки), функция И-НЕ!!!!!!!!!!!!(нарисовать).

А,В – для расширения функции

VT5 – не Шотки! т.к. он и так не входит в режим насыщения.

VT1+R1 – функция «И»

VT2+R2+R3 – фазоинверсный каскад (корректирующая цепь)

VD1 и VD2 – антизвонные

R6 – ограничение сквозного тока при переключении; VT4,VT5 – двухкаскадный эм. повт.- не точно!

Базовый ЛЭ ТТЛ (серия 155)- Этот ЛЭ реализует функцию И-НЕ (К155ЛА3)

VT1+R1 – функция «И» (т. А)

VT2+R2+R3 – фазоинверсный каскад между т.В и т.С (корректирующая цепь)

VT4 – в режиме эмиттерного повторителя

VD1 и VD2 – антизвонные

VD3 – для надежн. запир. VT4

1)

 - низкий уровень:

VT2 закрыт, VT4 открыт, VT1 открыт

2)

 - высокий уровень:

VT1 – инверсный активный режим, VT2, VT3, VT5 открыты, VT5 насыщение.

3) .  - для ограничения сквозного тока при переключении.

Вместо VT4 и VD3 можно включить схему Дарлингтона à

(на составных транзисторах). Тогда коэффициент усиления .

К133, К155 – имена на обычных транзисторах

К134, К136 – пониженная потребляемая мощность

К130, К131 – мощные серии (повышенное быстродействие)

Базовый элемент К555 – фактический ДТЛ

а,б- для расширения функции

1)VT4 – не Шоттки,так как он не входит в режим насыщения!

Базовый элемент К555ЛА3.Функция И-НЕ.

2)VD3, VD4, R1 – функция И.(этоВточкеА)

Остальное – функция НЕ.

3)VD1, VD2- антизвонные ограничители; функция: ограничение отрицательного сигнала, повышение помехоустойчивости:

Этот отр. перепад(где стрелка) огр.        

                                                                                                        диодами,искл. сраб.схемы

ß4)R4,R5,VT2-коррект. предат .хар-ку

5)VD5,VD6- ускоряют процесс разряда паразитных емкостей.

6)R6-уменьшает потр. мощность VT4 при фом-ии лог 0.

При подаче на все входные выводы элемента напряжения высокого уровня парные диоды VD3, VD4 входных ключей на диодах смещаются в обратном направлении. Поэтому ток резистора R1 насыщает транзисторы VT1 и VT5, формируя на выходе элемента сигнал низкого уровня. Если хотя бы на один вход схемы подано низкое напряжения, соответствующий диод смещается в прямом направлении. Ток резистора R1 замыкается на общую шину, минуя эмиттерные переходы транзисторов VT1 и VT3 (они закрываются). При этом ток резистора R3 насыщает составной транзистор VT3, VT4, формируя на выходе напряжение высокого уровня.

Базовый элемент К1533

VD5 тире VD8 – для разрядки емкостей