Световая генерация и рекомбинация

При световой генерации электрон поглощает фотон (рис. 2.5).

При обратном процессе (рекомбинации) высвободившаяся энергия, равная Eg, может либо передаваться от электрона обратно решетке (фонону), либо уноситься фотоном.

Излучательная рекомбинация

Если энергия уносится фотоном, то этот процесс называется излучательной рекомбинацией

Могут также одновременно рождаться фононы и фотоны, но тогда, в силу закона сохранения, их парциальные энергии меньше Eg.

Световая генерация и излучательная рекомбинация лежат в основе работы целого класса оптоэлектронных полупроводниковых приборов - источников и приемников излучения.

Время жизни неравновесных носителей заряда

При воздействии на п/п света он получил избыточную концентрацию носителей Dn, Dp.

После прекращения энергетического воздействия на полупровод­ник избыточная концентрация носителей заряда в нем из-за про­цесса рекомбинации через некоторое время уменьшится до нуля.

!!! Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу вре­мени в единице объема (быстрота изменения концентрации), пропорционально избыточной концентрации и обратно пропор­ционально некоторому параметру t, который называют временем жизни неравновесных носителей заряда.

                               dn/dt =Dn/t_n ;   dp/dt =Dp/t_p                             (2.10)

Концентрация неравновесных носителей заряда

n = Dn e ^–t/tn; p = Dp e ^–t/tp               (2.11) 

!!! временем жизни неравновесных носителей заряда является отношение избыточной концентрации (Dn или Dр) неравновесных носителей заряда к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:

                              t_n,р = Dn,p/( dn,p/dt)                         (2.12) 

ИЗУЧИТЬ: Приложения 3 и 4

файл: Приложения 3 и 4.doc