![]() Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Накачка эрбиевого усилителя (приближение трехуровневой накачки). ⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 3
Накачка современных эрбиевых усилителей осуществляется светом с длинами волн 980 нм или 1480 нм (см. рис.1). В первом случае схема накачки соответствует трехуровневой схеме, а во втором случае – квазидвухуровневой. При поглощении фотонов накачки 980 нм ионы Er3+ переходят из основного состояния 4I15/2 на короткоживущий уровень 4I11/2, с которого за счет процессов релаксации переходят на метастабильный уровень 4I13/2. Термин метастабильный означает, что время жизни частиц в этом состоянии относительно велико (10 мс). Поэтому даже при умеренном уровне мощности накачки можно перевести почти все ионы эрбия в возбужденное состояние. Обозначим плотности частиц, находящихся на трех приведенных на рис.1 уровнях
где N - число рабочих частиц в единице объема вещества. Не трудно записать скоростные (балансные) уравнения для совокупности рассматриваемых трехуровневых частиц:
где Стационарные решения находим из условия обращения в нуль производных:
Стационарное значение разности плотностей населенностей, которое устанавливается на этом переходе при включенной накачке, зависит от ее интенсивности, т.е. от величины вероятности W. Оно выражается соотношением:
Это выражение можно существенно упростить, если принять во внимание, что для многих активных веществ обычно выполняются следующие соотношения между вероятностями (каскадная релаксация):
При каскадной релаксации условие «просветления» рабочего вещества имеет вид:
Упрощается и вид выражения для разности плотностей населенностей уровней энергии инвертированного (рабочего) перехода:
Из выражений (6.3.40.1-2), в частности, следует, что при
Это означает, что при выполнении соотношения (6.3.37), увеличив в достаточной степени накачку, можно перекачать на уровень
Рассматривая накачку на длине волны 1480 нм принципиально важно учесть различие в вероятностях вынужденного излучения и поглощения. Для перехода 1-2 на l = 1480 нм выполняется условие h = sи/sп < 1, что и позволяет осуществлять накачку на этой длине. Система балансных уравнений в этом случае примет вид:
Усиление по трехуровневой схеме приводит к появлению следующих важных свойств эрбиевого усилителя: · Наличие пороговой мощности накачки, при которой происходит "просветление" активного ОВС, то есть достигаются нулевые потери. При превышении пороговой мощности накачки начинается усиление сигнала. В зависимости от структуры активного ОВС, концентрации легирующей примеси и длины волны накачки величина пороговой мощности составляет от долей до нескольких единиц мВт. · Необходимость выбора оптимальной длины активного ОВС, то есть длины, при которой достигается максимальное усиление при заданной концентрации примеси ионов Er3+. При превышении этой длины будет наблюдаться перепоглощение сигнала, а при использовании активного световода недостаточной длины – не полностью использовано излучение накачки. Оптимальная длина активного световода, вообще говоря, зависит от длины волны усиливаемого сигнала. Чем больше длина волны сигнала, тем более длинный отрезок активного световода соответствует максимальному усилению.
|
||
Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 216. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |