Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
ВЛАСТИВОСТІ p-n-ПЕРЕХОДУ ПРИ НАЯВНОСТІ ЗОВНІШНЬОЇ НАПРУГИ
Можливе пряме (рис.5) або зворотне (рис.6) вмикання р-nпереходу. Рисунок 5 – Пряме вмикання р-п переходу
Рисунок 6 – Зворотне вмикання р-п переходу
При зворотному вмиканні до р-п переходу прикладається зовнішня напруга Uзн , до його внутрішнього електричного поля додається зовнішнє електричне поле з напруженістю Езн. У результаті поле в р-п переході зростає і дорівнює Ерез = Евн + Езн (2) Оскільки електричний опір р-n - переходу дуже великий, практично вся напруга Uзнприкладається до нього. Отже, різниця потенціалів на переході становить φрез = φк + Uзн (3) де φрез - результуюча різниця потенціалів. Запірні властивості переходу при цьому зростають і дифузійна складова струму ідиф зменшується, а дрейфова ідр не змінюється (бо залежить лише від ступеня нагріву речовини) і через перехід протікає зворотний струм ізв = ідр - ідиф 4) Оскільки ідиф → 0, то зворотний струм визначається концентрацією неосновних носіїв зарядів і є незначним за величиною. При прямому вмиканні за зазначеною полярністю зовнішньої напруги зовнішнє електричне поле спрямоване назустріч внутрішньому і результуюча напруженість зменшується Ерез = Евн -Езн (5) При цьому ідиф зростає, а ідр зменшується. Різниця потенціалів становить φрез = φк - Uзн (6) У цьому випадку через перехід тече прямий струм іпр = ідиф - ідр. Він обумовлюється дифузійною складовою струму, тобто залежить від концентрації основних рухомих носіїв зарядів і є великим за величиною. Таким чином, р-п - перехід має вентильні властивості (від німецького слова ventil - клапан), тобто при прямому вмиканні його опір малий, а при зворотному - великий. Оскільки р-п - перехід має нелінійні властивості, то залежність струму, що протікає через нього, від прикладеної напруги ілюструють за допомогою вольт-амперної характеристики (ВАХ) (рис.7). Рисунок 7 – Теоретична ВАХ р-п перехіду
Вона має пряму (1) та зворотну (2,3) гілки. р-п перехід - це явище, що виникає на межі двох НП різного типу провідності і характеризується відсутністю у прилеглій до цієї межі зоні вільних носіїв заряду, через що її опір нескінченний. Тому р-п перехід ще називають запірним шаром. Властивості р-п переходу, які (в основному) використовуються при побудові електронних НП приладів: 1) однобічна провідність (вентильні властивості); 2) дуже великий опір зони р-п переходу як зони, де немає вільних носіїв заряду (запірні властивості); 3) зміна ширини р-п переходу із зміною величини зворотної напруги (як результат - зміна ємності р-п переходу); 4) стабільність напруги на р-п переході в режимі електричного пробою; 5) наявність неосновних носіїв (що виникають внаслідок теплової генерації) в шарах р- і n-типу.
ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ: 1 Які струми протікають в напівпровіднику? 2 Що таке дрейф носіїв в НП? 3 Що таке дифузія носіїв в НП? 4 Приведіть приклади напівпровідникових матеріалів, які використовуються для виготовлення НП приладів. 5 Дайте визначення p-n – переходу. 6 Чому p-n – перехід часто називають запірним шаром? 7 Яке з приведених затверджень правильне: - електронний – дірковий перехід – це шар, збагачений носіями заряду; - електронний – дірковий перехід – це шар, збіднений носіями заряду. 8 Чим обумовлений дифузійний струм через p-n – перехід? ВИКЛАДАЧ– Ковальова Т.І.
ЛЕКЦІЯ № 3 (2 год.) |
||
Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 338. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |