Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

В данной главе приведено краткое описание программы моделированияTINA-TI и способы создания схем и анализа работы на примере схемы БТ в динамическом режиме ( каскада усиления ПТ )




 

 

Широкополосные усилители

Назначение широкополосного усилителя

Широкополосные усилители предназначены для усиления сигналов в широкой полосе частот (от единиц Гц до сотен МГц) При таком диапазоне частот необходимо обеспечить равномерность частотной характеристики.

В качестве широкополосных усилителей (ШУ) применяются резистивные каскады, каскады с непосредственными связями, эмиттерные (истоковые) повторители. Транзисторы, используемые в широкополосных усилителях должны быть высокочастотными и обладать высокой крутизной характеристики. Специфической особенностью широкополосных усилителей является наличие в них дополнительных цепей частотной коррекции, служащих для расширения полосы равномерно усиливаемых частот или уменьшения искажений формы импульсных сигналов. Идея коррекции заключается в том, что корректирующая цепь должна осуществить подъем АЧХ усилителя в той области частот и такой же степени, в какой происходит её «завал». Частотные и переходные характеристики усилителя можно корректировать двумя способами. Во-первых, применением корректирующих звеньев, коэффициент передачи которых имеет определенную зависимость от частоты. Во-вторых, использованием частотно-зависимых обратных связей. В данной работе будет рассмотрен первый способ.

Преимущества полевого транзистора по сравнению с биполярным транзистором.

Сравнительный анализ приведен в таблице 2.1

 

 

Таблица 2.1

Биполярный транзистор Полевой транзистор
Входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером составляет сотни Ом, что приводит к потерям сигнала на входе схемы. Входное сопротивление транзистора с управляющим P-N переходом составляет 105 Ом, МДП-транзистора 10 15 Ом.
Низкая стабильность коэффициента передачи тока h 21 в схеме с общим эмиттером. Высокая температурная стабильность параметров.
Высокий уровень шумов, что приводит к низкому качеству усиления сигнала. Низкий уровень шумов, высокое качество усиления.
Относительно невысокий коэффициент усиления тока (100). Высокий коэффициент усиления тока (более 1000).
Высокий коэффициент усиления напряжения в схемах с общей базой и с общим эмиттером. Относительно низкий коэффициент усиления по напряжению, низкая крутизна.
Низкая входная емкость. Высокая входная емкость, что приводит к чувствительности полевого транзистора к электростатическому электричеству.

 

Особенности применения полевых транзисторов в схеме ШУ

Важнейшими особенностями полевых транзисторов являются малый уровень собственных шумов и стабильность параметров во времени. Это объясняется тем, что выходной ток в полевом транзисторе протекает в объеме монокристалла, в котором отсутствуют поверхностные дефекты кристаллической структуры, вызывающие у МДП-транзисторов шумовые флуктуации тока, нестабильность параметров и снижение подвижности носителей заряда. В силу своей структуры и принципа работы полевые транзисторы защищены от перегрузок по току значительно лучше, чем биполярные и МДП-транзисторы. Поскольку полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к дефектам накопления неосновных носителей заряда, поэтому в принципе имеют высокие граничные частоты и скорости переключения.защищены от перегрузок по току значительно лучше, чем биполярные и МДП-транзисторы. Поскольку полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к дефектам накопления неосновных носителей заряда, поэтому в принципе имеют высокие граничные частоты и скорости переключения защищены от перегрузок по току значительно лучше, чем биполярные и МДП-транзисторы. Поскольку полевые транзисторы являются униполярными приборами, они не чувствительны к дефектам накопления неосновных носителей заряда, поэтому в принципе имеют высокие граничные частоты и скорости переключения.  










Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 366.

stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда...