Входные характеристики транзистора в схеме ОЭ

Рис. 4.910. Входные (б) характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ

Входные (базовые) характеристики транзистора отражают зависимость тока базы от напряжения база — эмиттер при фиксированном напряжении коллектор — эмиттер: Iб = F(Uбэ)Uкэ = const (рис. 4.9, б).

При Uкэ = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики двух p-n-переходов (эмиттерного и коллекторного), включенных параллельно. Ток базы при этом равен сумме токов эмиттера и коллектора, работающего в режиме эмиттера.

При Uкэ < 0 ток базы составляет малую часть тока эмиттера. При определенной величине Uбэ подача напряжения Uкэ < 0 вызывает уменьшение тока Iб, т.е. смещение вниз характеристик относительно кривой со значением Uкэ = 0. Дальнейшее увеличение абсолютной величины Uкэ также смещает характеристики к оси абсцисс вследствие уменьшения тока Iб из-за эффекта модуляции базы.

В токе Iб присутствует составляющая Iк0. Поэтому при Uкэ < 0 входные характеристики исходят из точки с отрицательным значением тока базы, равным Iк0.

Слайд 23

Спасибо за внимание!