![]() Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Статические характеристики транзистора с общим коллектором
В схеме с ОК входным током является Таким образом, в схеме ОК практически не усиливается напряжение, а усиливается только ток; во столько же раз усиливается мощность сигнала. Из–за отсутствия усиления напряжения, снимаемого с эмиттерной нагрузки, простейший усилитель, построенный по схеме ОК, называют эмиттерным повторителем. Входное сопротивление схемы ОК очень велико, так как ток базы протекает под действием небольшой разности напряжений Выходное сопротивление схемы ОК, наоборот, очень мало: значительно меньше, чем в схемах ОБ и ОЭ. При снятии статических характеристик источник усиливаемых колебаний и резистор нагрузки не включают. В этом случае схема ОК становится точно такой же, как схема ОЭ. Поэтому статические входные и выходные характеристики в этих двух схемах одинаковы. Параметры транзисторов Для оценки свойств транзисторов наряду с их характеристиками используют параметры. Различают две группы параметров: первичные и вторичные. К первичным относят собственные параметры транзистора, характеризующие его физические свойства (рисунок 30):
Сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов зависят от режима транзистора и могут быть определены как дифференциальные сопротивления для данной рабочей точки по статическим характеристикам транзистора в схеме ОБ; сопротивление эмиттерного перехода – по входной характеристике как отношение малого приращения напряжения эмиттера к вызванному им приращению тока эмиттера при постоянном напряжении коллектора:
К параметрам транзистора относят также дифференциальные коэффициенты усиления тока в трех схемах включения. Учитывая их зависимость от режима, коэффициенты усиления тока определяют как отношение приращения выходного тока к вызвавшему его малому приращению входного тока при данном неизменном выходном напряжении. Для схемы ОБ коэффициент усиления тока α:
Для схемы ОЭ коэффициент усиления тока b:
Для схемы ОК коэффициент усиления тока g:
Коэффициенты усиления тока, называют также коэффициентом передачи тока, в разных схемах включения транзистора связаны соотношениями: Коэффициенты усиления тока a и b могут быть определены по выходным характеристикам транзистора включения ОБ и ОЭ (рисунок 31). Сущность вторичных параметров можно объяснить представив транзистор в виде активного четырехполюсника. Входные величины обозначают индексом (1), а выходные – индексом (2):
Все рассуждения справедливы при условии, что сигналы, т.е. приращения Эти четыре величины взаимно связаны и влияют друг на друга. Для расчета выбирают две из них в качестве независимых переменных, а две другие величины будут зависимыми переменными. Для них составляется система из двух уравнений, связывающих их с независимыми величинами через коэффициенты. В выборе пары независимых переменных есть несколько вариантов. Существуют, разные системы параметров: система Z – параметров (размерность сопротивление); Y – параметров (размерность проводимость); h – параметры и др. Наибольшее распространение при расчете транзисторных низкочастотных схем получили h – параметры. Их преимущество перед собственными параметрами состоит в том, что их удобно определять с помощью измерений в схеме включения транзистора причем для этого легко создать требуемые режимы по переменному току: короткое замыкание на выходе – соответствующее условию Для определения h – параметров составляется система уравнений, в которой независимыми переменными являются
В этой системе имеется четыре параметра с разной размерностью: Индекс параметра: 11 – относится к входной цепи; 22 – к выходной; 21 – отражает зависимость выходной величины от входной; 12 – зависимость входной величины от выходной. Значение параметров следующее: Поскольку в систему h – параметров входят сопротивление, проводимость и безмерные величины, их иногда называют смешанными или гибридными, параметрами. Эти параметры зависят от схемы включения транзистора и в разных схемах имеют разные обозначения: для схемы ОБ h – параметры можно определить по статическим характеристикам, для схемы ОЭ Характер кривой входной характеристики изображен на рисунке 32,а, выходной – на рисунке 32,б. На рисунке 32,в две выходные, на рисунке 32,г две выходных характеристики.
Учитывая, что характеристики транзистора нелинейны и параметры зависят от режима работы, их определяют по малым приращениям токов и напряжений: а) б) в) г) Значения h – параметров для разных схем включения можно найти из других схем. Например: Кроме того, h – параметры можно выразить через первичные параметры транзистора: В справочниках приводится коэффициент усиления тока в схеме ОЭ: Как видно из приведенных соотношений,a и b соответственно равны Кроме рассмотренных параметров свойства транзисторов характеризуются обратным током коллектора, обратным током эмиттера, граничной частотой усиления тока и емкостью коллекторного перехода. Предельные режимы:
|
|||||
Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 949. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |