Статические характеристики транзистора с общей базой

Как видно по схеме входным электродом является эмиттер, а выходным коллектор. Поэтому  это , а выхода ; входным током является ток эмиттера , а выходным – ток коллектора .

Поскольку , то выходной ток почти равен входному, так что схема ОБ практически не усиливает ток, а усиливает только напряжение и во столько же раз мощность сигнала.

Выходные характеристики транзистора включенного по схеме с ОБ (рисунок 27) , представляют собой зависимость тока коллектора от напряжения коллектор – база при постоянном токе эмиттера, поэтому их называют коллекторными.

а) выходные характеристики б) входные характеристики Рисунок 27

При , ток коллектора равен обратному току коллекторного перехода , поэтому выходная характеристика, снятая при  представляет собой обратную ветвь ВАХ p – n – перехода.

Характеристики, снятые при постоянных значениях  располагаются тем выше, чем больше , причем они выходят не из начала координат. Это объясняется тем, что при  на коллекторном переходе действует потенциальный барьер , создающий ускоряющее поле для неосновных носителей заряда, инжектированных в базу из эмиттера. Поэтому они переносятся электрическим полем из базы в коллектор и создают ток , не равный нулю. Они тем больше чем больше . Характеристики идут очень полого и ток  не зависит от изменений напряжения коллектора. Это говорит о том, что выходное сопротивление в схеме ОБ очень велико:

, (сотни тысяч Ом и более; )

При увеличении коллекторного напряжения выше максимально допустимого возникает опасность электрического пробоя коллекторного перехода, который может перейти в тепловой пробой.

Входные характеристики транзистора включенного по схеме с ОБ, представляют собой  (рисунок 27, б). Эти характеристики называются эмиттерными.

При отсутствии коллекторного напряжения  включен только эмиттерный переход в прямом направлении и характеристика соответствует прямой ветви ВАХ p – n перехода.

Этим объясняется очень малое входное сопротивление в схеме с ОБ.

, (единицы и десятки Ом).

При большем значении величины  входная характеристика немного сдвигается влево вверх. Это происходит из–за влияния обратного напряжения на коллекторный переход, а следовательно на толщину базы. С увеличением , т.е.  расширяется за счет базовой области. Перепад концентрации инжектированных носителей заряда в базе увеличивается, возрастает процесс диффузии их от эмиттерного перехода, а следовательно и инжекция из эмиттера.