Типи: DDR, DDR2 і DDR3,DDR4

КУРСОВА РОБОТА

на тему:

«Основні несправності оперативної пам’яті та методи їх виявлення. Особливості вимірювання струмів і напруг приладами прямої дії»

Виконав:

учень ІІІ курсу, групи № 45

професія: 7241                                                      Осадчий Владислав

«Електромеханік з ремонту                                      Юрійович

та обслуговування ЛОМ»

Керівник                                                                     Бура О.М

викладач:                                                                   Фурман Д.Ю

Вінниця – 2018

ЗМІСТ

ВСТУП.. 3

1Основні несправності оперативної пам’яті та методи їх виявлення. 4

1.1Характеристики оперативної пам'яті 4

1.2Принцип роботи ОП.. 7

1.3Основні несправності ОП.. 8

1.4Методи тестування ОП.. 9

2 ОСОБЛИВОСТІ ВИМІРЮВАННЯ СТРУМІВ І НАПРУГ ПРИЛАДАМИ ПРЯМОЇ ДІЇ 12

2.2 Вимірювання напруги. 16

2.3 Вимірювання великих значень струмів і напруг. 17

2.4 Вимірювання струмів і напруг цифровими приладами. 21

3. ОХОРОНА ПРАЦІ ТА ГІГІЄНА КОРИСТУВАЧА ЕОМ.. 23

ВИСНОВОК.. 28

СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ.. 29

ВСТУП

Впродовж довгого часу розробниками створювалися різні типи пам'яті. Вони володіли різними характеристиками, в них були використані різні технічні рішення. Основною рушійною силою розвитку пам'яті був розвиток ЭВМ і центральних процесорів. Постійно було потрібне збільшення швидкодії і об'єму оперативної пам'яті.

DRAM (DynamicRandomAccessMemory) — один з видів комп'ютерної пам'яті з довільним доступом (RAM), найширше використовуваний як ОЗУ сучасні комп'ютери.

Оперативна пам'ять є одним з найважливіших елементів комп'ютера. Саме з неї процесор бере програми і вихідні дані для обробки, в неї він записує отримані результати. Назва "оперативна" ця пам'ять одержала тому, що вона працює дуже швидко, так що процесору практично не доводиться чекати при читанні даних з пам'яті чи запису в пам'ять.

     Оперативна пам'ять - це енергозалежна пам’ять, в яку завантажуються і в якій знаходяться прикладні програми і дані в момент, поки з ними працюють. Коли робота закінчена, інформація видаляється з оперативної пам'яті. Якщо необхідно оновлення відповідних дискових даних, вони перезаписуються. Це може відбуватися автоматично, але часто вимагає команди від користувача. При виключенні комп'ютера вся інформація з оперативної пам'яті втрачається.

Струми і напруги є найбільш поширеними електричними величинами, які необхідно вимірювати в дуже широкому діапазоні значень.

Увесь діапазон вимірюваних струмів і напруг можна умовно поділити на три під діапазони:

          малих струмів (до одиниць міліампер) і напруг (до оди­ниць мілівольт);

          середніх струмів (від одиниць міліампер до десятків ам­пер) і напруг (від одиниць мілівольт до сотень вольт);

          великих струмів (понад десятки ампер) і напруг (понад сотні вольт).

Основні несправності оперативної пам’яті та методи їх виявлення.

Характеристики оперативної пам'яті

Основними характеристиками DRAM є таймінги і робоча частота. Для звернення до осередку, контролер задає номер банку, номер сторінки в нім, номер рядка і номер стовпця, на всі запити витрачається час, крім цього досить велика витрата йде на відкриття і закриття банку після самої операції. На кожну дію потрібний час, зване таймінгом. Основними таймінгами DRAM є: затримка між подачею номера рядка і номера стовпця, звана часом повного доступу (англ.RAS to CAS delay), затримка між подачею номера стовпця і отриманням вмісту осередку, звана часом робочого циклу (англ.CAS delay), затримка між читанням останнього осередку і подачею номера нового рядка (англ.RAS precharge). Таймінги вимірюються в, і чим менше величина цих таймингів, тим швидше працює оперативна пам'ять. Робоча частота вимірюється в, і збільшення робочої частоти пам'яті приводить до збільшення її швидкодії.

Рис. 1- Види пам’яті

На відміну від статичної пам'яті типу SRAM (англ.staticrandomaccessmemory), яка є конструктивно складнішим і дорожчим типом пам'яті RAM і використовується в основному в кеш-пам'яті, пам'ять DRAM виготовляється на основі конденсаторів невеликої ємкості, які швидко втрачають заряд, тому інформацію доводиться оновлювати через певні періоди часу, щоб уникнути втрат даних. Цей процес називається регенерація пам’яті. Він реалізується спеціальним, встановленим на материнській платі або на кристалі центрального процесора. Впродовж часу, званого кроком регенерації, в DRAM перезаписується цілий рядок «осередків», і через 8-64 мсоновлюються всі рядки пам'яті.

     Форм-фактор (англ. Formfactor) - стандарт, що задає габаритні розміри технічного вироби, а також описує додаткові сукупності його технічних параметрів, найчастіше форму, або типи додаткових елементів що розміщуються в  на пристрої, їх положення і орієнтацію.

Форм-фактор (як і будь-які інші стандарти) носить рекомендаційний характер. Специфікація форм-фактора визначає обов'язкові та додаткові компоненти. Однак переважна більшість виробників вважають за краще дотримуватися специфікацію, оскільки ціною відповідності існуючим стандартам є сумісність материнської плати і стандартизованого устаткування (периферії, карт розширення) інших виробників у майбутньому. Для можливості установлення компонентів та можливості модернізувати апаратні складові у комп’ютерній техніці використовуються стандартний, загальноприйнятий форм-фактор.

Типи: DDR, DDR2 і DDR3,DDR4

DDR4 SDRAM— новий типоперативної пам'яті, що є еволюційним розвитком попередніх поколінь DDR (DDR, DDR2,DDR3). Відрізняється підвищеними частотними характеристиками і зниженою напругою. Основна відмінність DDR4 полягає у подвоєному до 16 числі банків, що дозволило вдвічі збільшити швидкість передачі — до 3,2 Гбіт / с. Пропускна здатність пам'яті DDR4 досягає 34,1 ГБ/c (у разі максимальної ефективної частоти 4266 МГц, визначеної специфікаціями). Крім того, підвищенанадійністьроботи за рахуноквведеннямеханізму контролю парності на шинах адреси і команд. Підтримуєефективнічастотивід 1600 до 4266 МГц. У січні 2011 року компаніяSamsungофіційнопредставилановімодулі, щопрацюють в режимі DDR4-2133 при напрузі 1,2 В.

У свою чергу пам’ять DRAM ділиться на велику кількість різних типів. У сучасних персональних комп’ютерах використовуються такі типи оперативної пам’яті DRAM:DDR2 SDRAM і DDR3 SDRAM, DDR4 SDRAM.

Всі ці три типи пам’яті з’являлися по черзі, кожна нова версія отримувала значні поліпшення в порівнянні з попередньою. Вони не сумісні одна з одною. Тому в комп’ютер оснащений роз’ємом для пам’яті DDR не можна підключити пам’ять DDR2, і так далі. Щоб уникнути помилкової установки пам’яті в материнську плату, модулі пам’яті мають різну і не сумісну один з одним форму.

Рис. 2- Види DDR

Типи: DIMM і SODIMM

Форм фактор (конструкція модулів) для настільних комп’ютерів називається DIMM, і вона відрізняється від форм фактора модулів пам’яті для ноутбуків, які називаються SODIMM. Це треба враховувати при виборі оперативної пам’яті ноутбука. Як і модулі для настільних комп’ютерів, модулі SODIMM для пам’яті DDR, DDR2 і DDR3 мають конструктивні відмінності, які не дозволяють встановити їх в невідповідний роз’єм.

Рис. 3-Види SO-DIMM

Принцип роботи ОП

У сучасних комп'ютерах фізична пам'ять представляє плату, на якій розташовані мікросхеми пам'яті і, необхідний для підключення модуля до материнської плати. Роль «осередків» грають конденсатори і, розташовані усередині мікросхем пам'яті. Конденсатори заряджають у разі, коли в «осередок» заноситься одиничний біт, або розряджаються у разі, коли в «осередок» заноситься нульовий біт. Транзистори необхідні для утримання заряду усередині конденсатора. За відсутності подачі електроенергії до оперативної пам'яті, відбувається розрядка конденсаторів, і пам'ять спустошується. Це динамічна зміна заряду конденсатора є основоположним принципом роботи пам'яті типу DRAM. Елементом пам'яті типу DRAM є чутливий підсилювач (англ.senseamp), підключений до кожного із стовпців «прямокутника». Він, реагуючи на слабкий потік, що спрямувалися через відкриті транзистори з обкладань конденсаторів, прочитує всю сторінку цілком. Саме сторінка є мінімальною порцією обміну з динамічною пам'яттю, тому що обмін даними з окремо взятим осередком неможливий.

Конструктивна пам'ять DRAM складається з «осередків» розміром в 1 або 4 битий, в кожній з яких можна зберігати певний об'єм даних. Сукупність «елементів» такої пам'яті утворюють умовний «прямокутник», що складається з певної кількості рядків і стовпців. Один такий «прямокутник» називається сторінкою, а сукупність сторінок називається банком. Ваш набір «осередків» умовно ділиться на декілька областей.

Оперативна пам'ять працює в зв'язці з центральним процесором і зовнішнім накопичувачем. Система така:

1. Зовнішній накопичувач (жорсткий диск або флеш-карта) відправляє пакет даних на ОЗУ.

2. З оперативної пам'яті на центральний процесор дані надходять для обробки.

3. Центральний процесор обробляє дані і запускає процес на пристрій вводу-виводу.

Схема дуже проста.Оперативна пам'ять являє собою якийсь буфер між накопичувачем і процесором.Працювати без неї можна, але тоді час доставки інформації буде збільшено, а швидкодія всієї системи виявиться мізерним. ОЗУ кешируєт дані, зберігає в собі тимчасові файли і програмний код. Оперативка підвищує ефективність роботи операційної системи.І чимбільше пам'яті вона здатна в себе вміщати, тим краще для продуктивності пристрою.

Основні несправності ОП

При нормальних умовах експлуатації ОЗУ є одним з найбільш надійних компонентів вашого комп’ютера. Пошкодити пам'ять можна дуже легко, досить статичної електрики. Крім статичної електрики на працездатність планки оперативної пам'яті негативно впливають перепади напруги, а так само неполадки з блоком живлення.

Якщо ви не чистите Ваш комп'ютер від пилу або він знаходиться у вологому приміщенні, то це може привести до псування контактів, які знаходяться в роз'ємах оперативної пам'яті на материнській платі комп'ютера. Так само причиною цього може бути підвищення температури модулів і інших компонентів всередині корпусу Вашого комп'ютера. Та й сам модуль оперативної пам'яті не такий вже "сталевий", тому поводитися з ним треба акуратно, інакше можна просто нанести фізичні ушкодження, що призведе до його пошкодження. Для підвищеної міцності ОЗУ використовуються "радіатори" на модулях оперативної пам'яті, так само плюс радіаторів, що вони знижують температуру, але не сильно.

Мінус ОЗУ в тому, що при несправності його не вийти полагодити (його можна тільки замінити на новий), як інші компоненти комп'ютера, тому при покупці ОЗУ, звертайте вашу увагу на гарантійний термін і на виробника, так як, в разі дефектної планки її можна було замінити на робочу.

Найчастіші ознаки дефекту оперативної пам'яті комп'ютера:

2. Вилітає "синій екран смерті", один з найвірніших ознак дефекту оперативної пам'яті.

3. Збої в роботі, і знову ж таки поява синього екрана під час роботи ОС.

4. Причина може бути не тільки з-за дефекту ОЗУ, але і з за підвищеної температури.

5. Збої під час роботи з громіздкими програмами або іграми, інтенсивно використовують оперативну пам'ять (ОЗУ) комп'ютера: наприклад Photoshop або тривимірні комп'ютерні іграшки.

6. Можуть бути звукові сигнали, за допомогою яких Bios повідомляє про несправності з пам'яттю. В цьому випадку тестові програми не допоможуть, тут краще поміняти модуль.

Методи тестування ОП

Порядок використання програми Memtest86+:

У даній програмі є два режими роботи: основний "basic" і розширений "advanced".

Їх відмінність полягає в часі тестування. Основний режим визначить "глобальні" проблеми з пам'яттю, а в “advanced” перевірка проводитися більш ретельно.

Процес перевірки ОЗУ Вашого комп'ютера на дефекти:

Результатом завантаження комп'ютер з диска або флешки буде старт програми Memtest86+, яка відразу ж почне перевірку оперативної пам'яті. Тестування відбувається до його зупинки користувачем (тобто перевірка може тривати скільки завгодно). Для зупинки тесту достатньо натиснути кнопку Esc.

Для якісної перевірки пам'ять слід сканувати протягом від 30-40 хвилин до декількох годин (в залежності від обсягу пам'яті). Рекомендується провести не менше 3-4 проходів (кількість проходів відображається у вікні програми). Знайдені помилки відразу ж підсвічуються червоним кольором.

Рис. 4 – Меню програми