Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Исследование режима выключения p-n–перехода




 

       Принципиальная схема для исследования p-n–перехода в режиме выключения показана на рис.7. С помощью источника питания с регулируемым напряжением U1 и сопротивления R1 устанавливается начальный прямой ток через p-n– переход Iпр. Величину тока можно определить по соотношению

 

.                                                (13)

      

Рис.7. Принципиальная схема для исследования запирания p-n – перехода

От генератора импульсов через емкость C на p-n – переход подается запирающий импульс напряжения. С помощью сопротивления R2 снимается напряжение, пропорциональное току через p-n – переход, которое подается на осциллограф. Соответствующие эпюры напряжения представлены на рис.8.

По форме импульса напряжения на сопротивлении R2 определяется время рассасывания tрас и время среза tср. Время восстановления обратного сопротивления определяется как tвос = tрас + tср .

 

Задание

 

  1. Записать паспортные данные исследуемого p-n – перехода (полупроводникового диода).
  2. Собрать схему для исследования процесса отпирания p-n –перехода (рис.5). Исследовать зависимость формы напряжения на p-n – переходе от величины тока отпирания, зарисовать получающие эпюры напряжения на кальку, измерить время установления прямого сопротивления.
  3. Собрать схему для исследования процесса выключения p-n – перехода (рис.7). а) Исследовать процесс восстановления обратного сопротивления в зависимости от величины прямого тока при постоянной амплитуде запирающего напряжения. Для этого по эпюре напряжения UR2   измерить зависимости tрас = f(Iпр) и tср = f(Iпр). б) Исследовать процесс восстановления обратного сопротивления в зависимости от амплитуды запирающего напряжения при постоянном токе Iпр. Для этого по эпюре напряжения UR2 измерить зависимость tрас = f(DI) и tср = f(DI), где перепад тока DI = Iпр + Iобр (см. рис.8)., определить tвос = f(DI). Результаты измерений оформить в виде графиков.

 

Рис.8. Эпюры напряжения и тока в схеме для исследования запирания p-n–перехода

 

 

Оформление отчета

       Отчет по выполненной работе должен содержать:

  1. Цель работы.
  2. Паспортные данные полупроводникового диода.
  3. Принципиальные схемы исследования.
  4. Экспериментальные результаты – эпюры токов и напряжений, измеренные tрас, tср. tвос, tуст.
  5. Результаты расчета – импульсные и статические сопротивления p-n–перехода.
  6. График зависимости времени установления прямого сопротивления от величины прямого тока tуст = f(Iпр).
  7. График зависимости tрас = f(DI), tср = f(DI), tвос = f(DI) при Iпр = const.
  8. График зависимости tрас = f(Iпр), tср = f(Iпр), tвос = f(Iпр) при UГ = const.
  9. Сравнение результатов эксперимента с теорией.
  10. Выводы по работе.

 

Вопросы для самопроверки

  1. Какие основные процессы происходят в p-n – переходе при его отпирании?
  2. Нарисовать принципиальную схему для исследования отпирания p-n – перехода?
  3. Какие основные процессы происходят в p-n – переходе при его запирании?
  4. Нарисовать принципиальную схему для исследования запирания p-n – перехода.
  5. Нарисовать график распределения концентрации неосновных носителей в базе на различных стадиях его запирания.

 

Литература

 

1. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроник. – М.: Энергия, 1974. С.82-86, 86-91, 45-48.

2. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977. С.146-159.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высшая школа, 1991. С.83-84.










Последнее изменение этой страницы: 2018-05-29; просмотров: 412.

stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда...