Сравнительные характеристики запоминающих устройств

Итак, персональные ЭВМ имеют четыре иерархических уровня памяти: микропроцессорную память, регистровую КЭШ-память, основную память, внешнюю память. Две важнейшие характеристики (емкость памяти и ее быстродействие) указанных типов памяти приведены в табл. 3.[2]

Таблица 3. Сравнительные характеристики запоминающих устройств.

Примечание. Общепринятые сокращения: с - секунда, мс - миллисекунда, мкс - микросекунда, нс - наносекунда;

1с = 103 =106 мкс=109-нс.

Список иллюстраций:

Рис. 1 Распределение 1-Мбайтной области ОП.. 3

Рис. 2 Логическая структура основной памяти. 3

Рис. 3 Классификация ВЗУ.. 4

Рис. 4 Логическая структура поверхности магнитного диска. 5

[1]Примечание. Оперативная память может строиться на микросхемах динамического (DinamicRandomAccessMemory - DRAM) или статического (StaticRandomAccessMemory - SRAM) типа. Статический тип памяти обладает существенно более высоким быстродействием, но значительно дороже динамического, Для регистровой памяти(МПП и КЭШ-память) используются SRAM, а ОЗУ основной памяти строится на базе DRAM-микросхем.

[2]Быстродействие МПП, КЭШ-памяти и ОП измеряется временем обращения tобр к ним (сумма времени поиска, считывания и записи информации).а быстродействие ВЗУ - двумя параметрами: временем доступа tд (время поиска информации на носителе) и скоростью считывания Vсч (скорость считывания смежных байтов информации подряд - трансфер).