Точечные полупроводниковые диоды

Общие сведения о полупроводниковых приборах

1. Область науки и техники, изучающая физические явления в полупроводниковых и электровакуумных приборах это                         ?

2. На чем основана работа полупроводниковых приборов:

1) на использовании электрических свойств полупроводниковых материалов;

2) на использовании электромагнитных свойств полупроводниковых материалов;

3) на использовании магнитных свойств полупроводниковых материалов;

3. Какое место занимают полупроводниковые материалы по электропроводности:

1) между металлами и диэлектриками;

2) между проводниками и диэлектриками;

3) между металлами и проводниками;

4. Удельное электрическое сопротивление полупроводников при комнатной температуре лежит в пределах ____________?

1)10^-3 — 10¹⁰ Ом см;

2)10^-2 — 10¹⁰ Ом см;

3)10^-3 — 10¹⁵ Ом см;

4)10^-2 — 10¹¹ Ом см;

5. В качестве полупроводниковых веществ используются:

1) кремнии;

2) германий;

3) селен;

4) все варианты;

6. Электропроводность чистых однородных полупроводников при температуре, отличной от абсолютного нуля, обусловлена:

1) образование свободных носителей заряда, электронов;

2) образованием свободных носителей заряда, дырок;

1) попарным образова­нием свободных носителей заряда, электронов и дырок;

7. Свободные носители заряда в полупроводниках образуются в результате отрыва электронов от собственных или примесных атомов. Такой процесс называется     ?

8. Воссоединение или исчезновение пары носителей за­ряда при встрече свободного электрона с дыркой. Такой процесс называется           ?

9. Электропроводность чистого полупроводника называется ________?

10. Что происходит в полупроводниках при приложении внешнего электрического поля:

1) движение свободных носителей зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся во взаимно противоположных направлениях вдоль силовой линии электрического поля;

2) движение свободных носителей зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся в одном направлении вдоль силовой линии электрического поля;

3) движение свободных зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся во взаимно противоположных направлениях вдоль силовой линии электромагнитного поля;

4) движение свободных зарядов упорядочивается, электроны и дырки дви­жутся в одном направлении вдоль силовой линии электромагнитного поля;

Общие сведения об электронных устройствах

1. При обычных температурах количество свободных электронов и дырок в чистом полупроводнике равно _________?

1)10¹⁶— 10¹⁸ в 1 см³вещества;

2)10¹⁰— 10¹⁸ в 1 см³вещества;

3)10¹⁶— 10¹⁵ в 1 см³вещества;

4)10¹⁸— 10¹⁰ в 1 см³вещества;

2.Введением каких веществ, существенно изменяют электрические свойства полупроводников:

1) элементы V группы периодической системы таблицы Менделеева;

2) элементы III группы периодической системы таблицы Менделеева;

3) элементы III и V групп периодической системы таблицы Менделеева;

3. Электропроводностью типа n, обусловленная переходом валентных электронов в зону проводимости называется                   ?

4. Электропроводностью p-типа, где дырки – основные носители заряда это       ?

5. Что такое донорные и акцепторные примеси:

1) донорные – примеси элементов V группы, акцепторные -примеси элементов III группы ;

2) донорные – примеси элементов III группы, акцепторные -примеси элементов V группы ;

3) нет правильного варианта;

6. Область раздела двух полупроводников с проводимостямиp- и n-типа это                  ?

7. Что такое обратный ток в полупроводнике:

1) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

2) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

3) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

4) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

8. При каких условиях p-n-переход называется закрытым или смещенным в обратном направлении:

1) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью E_вн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап;

2) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженность E_вн, противоположное по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап;

3) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электромагнитное поле напряженностью E_вн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап;

4) Если к р-n-переходу приложить внешнее напряжение, которое создает в запирающем слое электромагнитное поле напряженностью E_вн, противоположное по направлению с полем неподвижных ионов напряжен­ностью E_зап;

9. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающееся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения это     ?

10. Лавинообразное размножение носителей заряда — элек­тронов и дырок, приводящее к резкому увеличению обратного тока через р-n-переход при почти неизменном обратном напряжении называется                     ?

Полупроводниковые диоды

1. Что такое полупроводниковый диод:

1) это прибор с одним р-n-переходом и двумя выводами;

2) это прибор с одним р-n-переходом и одним выводом;

3) это прибор с р – типа переходом и двумя выводами;

4) это прибор с n – типа переходом и одним выводами;

2. Что лежит в основе работы полупроводникового диода:

1) магнитные свойства р-n-перехода

2) электрические свойства р-n-перехода;

3) электромагнитные свойства р-n-перехода;

3. Что такое запирающий слой и какова его толщина:

1) слой, имеющий подвижные носители заряда, с толщиной несколько микрометров

2) слой, лишенный подвижных носителей заряда, с толщиной несколько микросантиметров

3) слой, лишенный подвижных носителей заряда, с толщиной несколько микрометров

4) слой, имеющий подвижные носители заряда, с толщиной несколько микросантиметров;

4. Контактная разность потенциалов это                 ?

5. Дрейфовый ток I_др обусловлен          ?

6. Диффузионный токI_диф обусловлен             ?

7. В чем заключается динамическое равновесие в полупроводниках         ?

1) ;

2)

3)

8. Что такое прямой ток в полупроводнике:

1) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

2) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко возрастает при уменьшении сопротивления;

3) Ток при открытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

4) Ток при закрытом p-n-переходе, при этом ток резко уменьшается при увеличении сопротивления;

9. При каких условиях p-n-переход называется открытым или смещенным в прямом направлении?

1) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, совпадающем с полем двой­ного электрического слоя

2) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, противоположном полю двой­ного электрического слоя

3) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, совпадающем с полем двой­ного магнитного слоя

4) Если к р-n-переходу приложено внешнее напряжение создающее электрическое поле Eвн в направлении, противоположном полю двой­ного магнитного слоя

10.  Для получения более высокого обратного напряжения полупроводниковые диоды можно включать _____________?

Точечные полупроводниковые диоды

1. Пробой характерный обратимостью, заключающуюся в том, что первоначальные свойства р-n-перехода полностью восстанавли­ваются, если снизить напряжение на диоде. Такой пробой называется       ?

2. При недостаточном отводе тепла, вызванного относительно большим обратным током, р-n-переход разогревается. В результате этого усиливается процесс генерации электронно-дырочных пар, что приводит к дальнейшему увеличению тока и температуры и в итоге к необратимому разрушению р-n-перехода. Такой пробой называется          ? 

3. От чего зависит значение электрической емкости p-n-перехода:

1) От длины и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя

2) От высоты и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя

3) От площади и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя

4. Что происходит с электрической емкостью p-n-перехода, при увеличении обратного напряжения:

1) длина р-n- перехода возрастает, и емкость р-п-перехода уменьшается

2) ширина р-n- перехода возрастает, и емкость р-п-перехода уменьшается

3) длина р-n- перехода уменьшается, и емкость р-п-перехода увеличивается

4) ширина р-n- перехода уменьшается, и емкость р-п-перехода увеличивается

5.  Что такое переход Шоттки:

1) переход на основе контакта проводник — полупроводник

2) переход на основе контакта диэлектрик — полупроводник

3) переход на основе контакта ме­талл — полупроводник

6.  В чем заключается преимущества свойств переходаШоттки при создании полупроводниковых приборов:

1) малое падение напряжения при прямом включении;

2) высокий ток утечки;

3) очень маленький заряд обратного восстановления;

4) все варианты;

7.  В чем заключается технология изготовления точечных полупроводниковых диодов:

1) В точечном полупроводниковом диоде используется пластинка герма­ния или кремния с электропроводностью п - типа толщиной 0,1 — 0,6 мм и площадью 0,5 — 1,5 мм² . В пластинку вплавляется заостренная игла из металла или сплава с содержанием необходимых примесей . В процессе в плавления в кристалле полупроводника в области контакта с иглой образуется слой р-типа.

2) В точечном полупроводниковом диоде используется пластинка герма­ния или кремния с электропроводностью п - типа толщиной 0,5 — 0,6 мм и площадью 1 — 1,5 мм² . В пластинку вплавляется заостренная игла из металла или сплава с содержанием необходимых примесей . В процессе в плавления в кристалле полу про водника в области контакта с иглой образуется слой р-типа

3) В точечном полупроводниковом диоде используется пластинка герма­ния или кремния с электропроводностью п - типа толщиной 0,3 — 0,6 мм и площадью 0,2 — 1,5 мм² . В пластинку вплавляется заостренная игла из металла или сплава с содержанием необходимых примесей . В процессе в плавления в кристалле полу про водника в области контакта с иглой образуется слой р-типа

8.  Для сохранения работоспособности германиевого диода его температура не должна превышать _________?

9.  Кремниевые диоды могут работать при температуре до _________?

10.  Какие специальные меры принимают для уменьшения разогрева мощных диодов прямым током:

1) монтаж на радиаторах;

2) обдув;

3) все варианты;