Студопедия

КАТЕГОРИИ:

Авто Автоматизация Архитектура Астрономия Аудит Биология Бухгалтерия Военное дело Генетика География Геология Государство Дом Журналистика и СМИ Изобретательство Иностранные языки Информатика Искусство История Компьютеры Кулинария Культура Лексикология Литература Логика Маркетинг Математика Машиностроение Медицина Менеджмент Металлы и Сварка Механика Музыка Население Образование Охрана безопасности жизни Охрана Труда Педагогика Политика Право Приборостроение Программирование Производство Промышленность Психология Радио Регилия Связь Социология Спорт Стандартизация Строительство Технологии Торговля Туризм Физика Физиология Философия Финансы Химия Хозяйство Ценнообразование Черчение Экология Эконометрика Экономика Электроника Юриспунденкция

Условные обозначения силовых полупроводниковых приборов (СПИ) и модулей (СПМ)

⇐ ПредыдущаяСтр 4 из 4

Группа СПП	Тип силового полупроводникового прибора (модуля)	Условное обозначение типа, подтипа	Графическое обозначение
1	2	3	4
1	Не управляемые вентили Автотракторные Высокочастотные и диоды Шоттки	В ВА ВЧ
	Стабилитроны кремниевые силовые Ограничители напряжения ПОН, малоёмкостные ПОН, защитные диоды	СК КС КР
	Симметричные ограничители напряжения, защитные диоды	КР (МО)
2	Незапираемый тиристор Тиристор лавинный с водяным охлаждением	Т ТЛ ТВ
	Тиристор симметричный (симистор)	ТС
	Фототиристор	ТФ
	Тиристор оптронный	ТО
	Тиристор-диод	ТД
3	Запираемый тиристор	ТЗ
3	Транзисторы биполярные (К, 2-кремниевые), (Г, 1-германиевые)	Т КТ 2Т

Продолжение табл. П2.1

1	2	3	4
3	Транзисторы полевые (К, 2-кремниевые, А, 3-арсенид-галлиевые) а) с управляющим p-n переходом б) с встроенным каналом в) с индуцированным каналом (MOSFET) "n-канальные", "р-канальные" г)совмещенные (биполярные с изолированным затвором IGBT) с n-каналом	П, КП, 2П, ЗП	а
			б
			в
			г
4	Тиристор-диод Тиристор-тиристор Диод-диод Симисторные	МТД, МТТ МДД М2ТС
	Силовые: IGBT-модули: одиночные ключи	МТКИ
	Силовые: IGBT-модули: полумосты	М2ТКИ М2ТКИ2
	Модули силовые: оптотиристорные	М2ТОТО
	Силовые: MOSFET(полевые) модули: полумосты	М2ТПИ М2ТПИ2

Таблица П2.2

Значения основных параметров современных СПП и СПМ

№ п/п	Тип, семейство прибора, модуля	Параметры
№ п/п	Тип, семейство прибора, модуля	I_П, А	U_ПН, В	I_К, I_С, А	U_КЭ,U_СИ, В	t_ВС, мкс
1.	Диоды стандартные	60÷ 60000	400÷ 10000
1.	Диоды быстро-восстанавливающиеся	20÷ 450	100÷ 6500			0,1÷ 1,0
2.	Тиристоры	10÷ 5000	100÷ 6000
2.	Тиристор-диод	28÷ 5700	400÷ 3600
3.	Запираемые тиристоры GTO	1000÷ 6000	2500÷ 6000
	GTO, GCT	630÷ 4000	1200÷ 6600
	GCT, IGCT	1000÷ 4000	1200÷ 4500
4.	IGBT транзисторы			10÷60	400÷ 6500
	IGBT модули			10÷2800	600÷ 6500
	IGBT модули			200÷2400	1200÷ 3300
	Интеллектуальные IGBT модули (ЕРМ)			300÷1800	1200÷ 1700
5.	Полевые транзисторы MOSFET			1÷200; R_СИ= 0,003÷10 (Ом)	20÷ 1000
5.	MOSFET модули			70÷450; R_СИ=0,003÷17 (Ом)	100÷ 800

Таблица П2.3

Перечень основных и специальных параметров силовых диодов (примеры)

Параметры диода	Условное обозначение (тип) диода
Параметры диода	ВЗ-250	ВЛ-320	ВВ-500	ВВ-1250
I_п.(А) с типовым охладителем при θ_c°С=40 °С и V_в, м/с 0 6 12	80 200 250	- - 320
I_п.(А) с типовым охладителем при θ_c°С =З0 °С и Q_c, л/мин 1 3(4) 6			- (465) -	820 955 1100
I_удр.(кА) при длительности 10 мс и температуре структуры θ_pn°C 140 25	4.0 4.4	6.6 7.2	6.6 7.2	15 16.5
ʃI²dt, (А²·с) при длительности 10 мс и температуре структуры θ_pn°C 140 25	80000 97800	217800 260000	217800 260000	1125000 1360000
I_об, (mA) при V_п. и температуре структуры 140 °С, не более	10	5	7	30
U_п, (В)	600÷3600	600÷1200	150÷1500	50÷1400
U_н.п., (В)	700÷4200	600÷1200	175÷1750	175÷1620
U_р, (В)	400÷2400	600÷1200	100÷1000	100÷1000
Δu, (В) при I_п.	0.8	0.7	0.8	0.9
U₀, (В)	1.16	1.09	1.23	1.22
r_д.,(10^-5Ом)	88	42.6	35	23.2
R_T, (°С/Вт) при V_в, (м/с) Q_c, (л/мин) 0 (1) 6 (3) 12 (6)	R_в=0,09 0.77 0.28 0.24	R_в=0,09 0.77 0.28 0.22	R_в=0,09 (0.21) (0.16) (0.145)	R_ва =0,04 R_вк=0,15 (0.079) (0.065) (0.054)
Допустимая энергия лавинообразования, (Дж), не более		1.0

Таблица П2.4

Параметры ряда защитных диодов, выпускаемых зарубежными фирмами и отечественной промышленностью (типы КР, МО), таблицы П2.4 а и П2.4 б

Таблица П2.4 а

Тип прибора	P_дп._m=500 Вт, раб.темп.: - 65 °C… + 175 °C
	U_обр, В	I_обр, мкА	U_прб, В		I_т, мА	U_огр._m, В	I_огр._m, A
	U_обр, В	I_обр, мкА	мин.	макс.	I_т, мА	U_огр._m, В	I_огр._m, A
SA5.0	5	600	6.4	7.3	10	9.6	52
SA6.0	6	600	6.67	8.15	10	11.4	43.9
SA7.0	7	150	7.78	9.51	10	13.3	37.8
SA8.0	8	25	8.89	10.9	1	15	33.3
SA12	12	3	13.3	16.3	1	22	22.7
SA24	24	3	26.7	32.6	1	43	11.6
SA30	30	3	33.3	40.7	1	53.5	9.3
SA48	48	3	53.3	65.2	1	85.5	5.8
SA64	64	3	71.1	86.9	1	114	4.4
SA78	78	3	86.7	106	1	139	3.6
SA90	90	3	100	122	1	1 160	3.1
SA120	120	3	133	163	1	214	2.3
SA150	150	3	167	204	1	268	1.9
SA170A	170	3	189	209	1	275	1.8
КР457А	32	300	38	40	10	60	50
KF458A	320	500	350	380	10	560	18
КР192В9	105 (210)	150	110 220	115	1	160 320	1 0,8
М040-70ДА	40	1000	47	50	10	60	1200

Таблица П2.4 б

Тип прибора		Раб. темп.: - 63 °С...+175 °С
Тип прибора		U_обр, В	I_обр, мкА	U_прб, В		I_т, мА	I_огр._m, A		U_огр._m, В
TVS 600 Вт	TVS 1500 Вт	U_обр, В	I_обр, мкА	мин.	макс.	I_т, мА	TVS 600	TVS 1500	U_огр._m, В
Р6КЕ6.8	1.5КЕ6.8	5.5	1000	6.12	7.48	10	56	139	10.8
Р6КЕ8.2	1.5КЕ8.2	6.63	200	7.38	9.02	10	48	120	12.5
Р6КЕ9.1	1.5КЕ9.1	7.37	50	8.19	10	1	44	109	13.8
Р6КЕ10	1.5КЕ10	8.1	10	9	11	1	40	100	15
Р6КЕ15	1.5КЕ15	12.1	5	13.5	16.5	1	27	68	22
Р6КЕ20	1.5КЕ20	16.2	5	18	22	1	21	51.5	29.1
Р6КЕ24	1.5КЕ24	19.4	5	21.6	26.4	1	17	43	34.7
Р6КЕЗЗ	1.5КЕ33	26.8	5	29.7	36.3	1	12.6	31.5	47.7
Р6КЕ39	1.5КЕ39	31.6	5	35.1	42.9	1	10.6	26.5	56.4
Р6КЕ47	1.5КЕ47	38.1	5	42.3	51.7	1	8.9	22.2	67.8
Р6КЕ56	1.5КЕ56	45.4	5	50.4	61.6	1	7.4	18.6	80.5
Р6КЕ75	1.5КЕ75	60.7	5	67.5	82.5	1	5.5	13.9	108
Р6КЕ100	1.5КЕ100	81	5	90	110	1	4.2	10.4	144
Р6КЕ120	1.5КЕ120	97.2	5	108	132	1	3.5	8.7	173
Р6КЕ160	1.5KE160	130	5	144	176	1	2.6	6.5	230
Р6КЕ220	1.5КЕ220	175	5	198	242	1	1.75	4.3	344
Р6КЕ440	1.5КЕ440	356	5	396	484	1	0.95	2.3	630

Таблица П2.5

Значения коэффициента формы тока для различных углов проводимости

Параметры	Форма тока
Параметры	синусоидальная					прямоугольная
Угол проводим. β эл.град.	180	120	90	60	30	180	120	90	60	30
К_ф=I_V/I_V._СР	1.57	1.87	2.22	2.77	3.99	1.41	1.73	2.0	2.45	3.46

Таблица П2.6

Система токовых параметров и полного теплового сопротивления тиристоров при различных условиях охлаждения

Параметры тиристоров	Типы тиристоров
Параметры тиристоров	ТД - 40	ТЧ - 125	ТВ - 800
I_п.(А) с типовым охладителем при Q_в°С=40 °С и скорости охлаждающего воздуха V_в, м/с 0 6 12	22 40 —	40 80 125	— — —
I_п.(А) с типовым охладителем при Q_в°С=30°С и расходе воды Q_в л/мин 3 6			665 750
I_удр.(А) при длительности t_u=10 мс и температуре структуры θ_pn°C 25 125	850 800	— 3200	7700 7000
ʃi²dt, (А²·c) при длительности t_u=10 мс и θ_pn°C 25 125	3600 3200	— 48200	296450 245000
I_д (А) с типовым охладителем при f=50 Гц, угла проводимости 180 °С и θ_к°С = 70 °С	62.8	196	1250
I_ут, I_об (мА) при повторяющемся напряжении и θ_pn°C= 125 °С	8	15	40
R_т (°С/Вт) при V_в (м/с) Q_в (л/мин) 0 (1) 6 (3) 12 (6)	3.6 2.4 —	0.96 0.68 0.41	(0.081) (0.070) (0.059)

Таблица П2.7

Временные и динамические параметры тиристоров

Параметры тиристоров	Типы тиристоров
Параметры тиристоров	ТД - 80	ТВ7 - 320	ТВ - 800
Время включения t_вк (мкс) при θ_pn=25°С, I_у = 2 A, di_y/dt - 2 А/мкс I_у = 2 A, di_y/dt = 5 А/мкс	7 —	— 5	40 —
Время выключения (восстановления) t_вс (мкс) при θ_pn = 125 °С, di_a/dt = 5 А/мкс (ТВ-800); 10 А/мкс (ТД - 80); 25 А/мкс (ТВ7-320) для тиристоров групп: 0 (5) 1 (6) 2 (7) 3 (8) 4 (9)	не норм. 250 150 100 70	(50) (30) (20) (15) (12)	не норм. 250 150 — —
Критическая скорость нарастания (В/мкс) прямого напряжения (du_a/dt)_кр при θ_pn = 125 °С, U_а=0.67U_пн для тиристоров групп: 0 (4) 1 (5) 2 (6) 3 (7)	— (200) — (500) 50 (1000) 100	(200) (500) 50 — 100 —	— (200) 20 (500) 50 — 100 —
Критическая скорость нарастания прямого тока (du_a/dt)_кр (А/мкс) при θ_pn = 125 °С, I_у=2 A, di_y/dt = 2 А/мкс, 5 А/мкс (ТВ7-320) для тиристоров групп: 0 (3) 1 (4) 2 (5)	— (70) 20 — 40 —	— (70) — (100) 40 —	— (70) 21 — 40 —
Ток удержания I_уд (мА) при θ_pn = 25 °С	300	200	150

Таблица П2.8

Параметры цепи управления тиристоров

Параметры тиристоров	Типы тиристоров
Параметры тиристоров	ТЧ - 63	ТБЗ - 200	ТЗ - 800
Постоянное отпирающее напряжение U_y._o (В) и ток (I_y._o, А) управления при U_a= 12 В и θ_pn °С: -60 °C -50 °С +25 °С +110°С +125°С	— 3.5; (1.6) 2.5; (0.75) 1.5; (0.4) —	— 8; (0.75) 5.5; (0.35) 4.0; (0.22) —	6; (0.6) — 5; (0.3) — 4; (0.25)
Неотпирающее постоянное напряжение управления U_y.н (В) и ток (I_y.н мA) при U_a =0.67U_п, R_y = 20 Ом, θ_pn =125 °С U_a =U_п, R_y = 5 Ом, θ_pn =110 °С U_a =0.67U_п, R_y = 20 Ом θ_pn =110 °С	— — 0.25; (2)	— 0.2; (2) —	0.2; (15) — —
Максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления (U_y.об В) и максимально допустимый прямой импульсный ток управления (I_у.max; А)	1,5; (25)	3;(25)	2; (10)

Таблица П2.9

Основные эксплуатационные параметры выпрямителей однофазного питания при работе на различные виды нагрузок

Схема ВП Вид нагрузки		Основные параметры
		Трансформатор (ТР)			Силовые вентили (СПП)			Вентильная схема (ВС)
										, (f_n) Гц
Двухполу- периодная с нулевым выводом	R	1.23	1.73	1.48	0.5	0.785	2	0.9	0.81	0.667 (100)
	R L	1.11	1.57	1.34	0.5	0.71	2	1.17	0.81	0.667 (100)
	R С	1.51	2.14	1.83	0.5	1.15	1.68×	3.075	—	(100)
Мостовая	R	1.23	1.23	1.23	0.5	0.785		0.9	0.81	0.667 (100)
	R L	1.11	1.11	1.11	0.5	0.71		0.9	0.81	0.667 (100)
	R С	1.51	1.51	1.51	0.5	1.15	0.84×	1.4	—	(100)

Таблица П2. 10

Основные эксплуатационные параметры выпрямителей

трехфазного питания при работе на различные виды нагрузок

Схема ВП Вид нагрузки		Основные параметры
		Трансформатор (ТР)			Силовые вентили (СПП)			Вентильная схема (ВС)
										, (f_n) Гц
Трехфазная с нулевым выводом	R	1.22	1.48	1.35	0.33	0.583		1.17	0.97	0.25 (150)
	R L	1.21	1.48	1.35	0.33	0.58		1.17	0.97	0.25 (150)
	R С	2.06	2.1	2.08	0.33	0.8	2.34	1.4	0.97	(150)
Трехфазная мостовая	R	1.05	1.05	1.05	0.33	0.58		2.34	0.998	0.057 (300)
	R L	1.05	1.05	1.05	0.33	0.58		2.34	0.998	0.057 (300)
	R С	1.28	1.28	1.28	0.33	0.65	2.33	2.44	0.998	(300)
Двойная трехфазная с уравнительным реактором	R	1.05	1.48	1.26	0.167	0.29		1.17	0.998	0.057 (300)
Двойная трехфазная с уравнительным реактором	RL	1.05	1.05	1.26	0.167	0.29		1.17	0.998	0.057 (300)

Приложение 3

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«УФИМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АВИАЦИОННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»

«Кафедра Информационно-измерительной техники»

Проценты выполнения работы









	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
	Номера учебной недели

КУРСОВАЯ РАБОТА

ПО ДИСЦИПЛИНЕ:

«Силовая электроника в системах управления и контроля»

НА ТЕМУ:

__________________________________________________________________________________________________________________________

Выполнил: студент гр._________

____________________________

(подпись)

Руководитель: ст. преподаватель

Тузбеков Р.М.

____________________________

(дата и подпись)

Кумертау-2012

Составители: АИТОВ Иршат Лутфуллович

КУШЕКОВА Эльнара Ренардовна

СИЛОВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА

Методические указания к курсовой работе по дисциплине «Силовая электроника в системах управления и контроля»

Подписано в печать 04.02.2010. Формат 60x84 1/16.

Бумага офсетная. Печать плоская. Гарнитура Times New Roman.

Усл. печ. л. 2,4.Уч.-изд. л.2,3.

Тираж 75 экз. Заказ № 65 .

ГОУ ВПО Уфимский государственный авиационный технический университет Центр оперативной полиграфии УГАТУ 450000, Уфа-центр, ул. К. Маркса, 12

⇐ Предыдущая 1 2 34

Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 297.

stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда...