Студопедия

КАТЕГОРИИ:

АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция

Выбор схемы ШИМ-преобразователя




ШИМ – преобразователь К580ВИ53

Микросхема представляет собой трехканальное программи­руемое устройство временных интервалов (таймер), предназна­ченное для организации работы микропроцессорных систем в ре­жиме реального времени. Реализованы в виде трех независимых 16-разрядных каналов с общей схемой управления. Содержат 4100 интегральных элементов. Корпус типа 2120.24-3, масса не более 5г.

Назначение выводов: 1...8 — двунаправленные трехстабильные входы/выходы канала данных D7...D0; 9,15,18 — входы так­товых импульсов CLCO, CLC1, CLC2; 10, 13, 17 — входы каналов (счетчиков) О0, О1, О2; 11, 14, 16— входы

 "разрешение" кана­лов Е0, Е1, Е2; 12— общий; 19, 20— входы адресных шин АО,

А1; 21 — вход "выбор микросхемы" С5; 22— вход "чтение" ; 23 — вход "запись" ; 24 — напряжение питания.

Рисунок 12 – Условное графическое обозначение К580ВИ53

 

 

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания………………………………...    5 В ± 5%

Входное напряжение высокого уровня……………………………..  2,2...5,25 В

Входное напряжение низкого уровня……………………………….-0,5...+0,8 В

Выходное напряжение высокого уровня…………………………….  2,4 В

Выходное напряжение низкого уровни..……………………….........  0,45 В

Ток потребления..................................................................................... 140 мА

Ток утечки на входах.................. …………………………………... |±10| мкА

Ток утечки на входах/выходах... ……………………………… … |±10| мкА

Выходной ток высокого уровня ……………………………………... < |-0,4| мА

Выходной ток низкого уровня ………………………………………..  2,2 мА

Входная емкость.......................... ……………………………………  10 пФ

Емкость на входах/выходах …………………………………………..  20 пФ

Емкость нагрузки......................... ……………………………… 100; 150 пФ

Время установления сигнала "выбор микросхемы"

относительно сигнала "запись"……….…………………………………  50 нс

Время сохранения сигнала "выбор микросхемы"

относительно сигнала "запись"……………………………………….. . 30 нс

Время установления сигналов адреса (АО, А1)

относительно сигнала "запись"……….…………………………………  50 нс

Время сохранения сигналов адреса (АО, А1)

относительно сигнала "запись"………………………………………...  30 нс

Время установления сигналов данных (07...D0)

относительно сигнала "запись"……….…………………………. ….....  300 нс

Время сохранения сигналов данных (D7...DO)

относительно сигнала "запись"……………….………………………. ..  40 нс

Время восстановления сигнала "запись"……………………………... .  1 мкс

Время установления сигнала "выбор микросхемы"

относительно сигнала "чтение" ……………………………..……….…  50 нс

Время установления сигналов адреса (АО, А1)

относительно сигнала "чтение"……………….………………………...  50 нс

Длительность сигнала "запись" низкого уровня………………………  400 нс

Время сохранения сигналов адреса (АО, А1)

относительно сигнала “чтение”……………………………………….... 5нс

Время сохранения сигнала выбор микросхемы

относительно сигнала "чтение" ……………………………………..…  5 нс

Длительность сигнала низкого уровня………..………………………..  400нс

Время восстановления сигнала "чтение" ………………………………  1 мкс

Время задержки сигналов данных (D7...D0) относительно

сигнала "чтение"……………………………….……………………….  300 нс

Время задержки сигналов данных (D7...D0) относительно

 сигнала "чтение"…………………………………………….…………25...125 нс

Длительность сигнала тактового импульса

низкого уровня............................ …………………………………..….  150 нc

Длительность сигнала тактового импульса

высокого уровня......................... …………………………………..….  230 нc

Период импульсов тактовых сигналов ………………………………...  360 нc

Время установления сигнала "разрешение"

при переходе его из состояния высокого (низкого)

уровня в состояние низкого (высокого) уровня

относительно тактового сигнала ……………………………………….  100 нc

Время сохранения сигнала "разрешение" при пере­ходе его

из состояния высокого уровня в состояние

низкого уровня относительно тактового сигнала…………………….… 50нс

Длительность сигнала "разрешение" низкого уровня………………. ….  100 нc

Длительность сигнала "разрешение"

высокого уровня......................... ………………………………………..  150 нс

Время сохранения сигнала "разрешение" при пере­ходе его из

состояния низкого уровня в состояние высокого уровня

относительно тактового сигнала………………………………………….  50 нc                                                      

Время задержки сигнала "выход" относительно сигнала "разрешение"

при переходе его из состо­яния высокого уровня в состояние

низкого уровня (только для режимов: генератор частоты

импульсный и генератор меандра) ………………………………….…..< 300 нс

Время задержки сигнала "выход" относительно

 

тактового сигнала ..................... ………………………………….…….< 400 нс










Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 215.

stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда...