Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Расчёт эквивалентной схемы замещения
При использовании транзисторов до (0,2 - 0,3)fт возможно применение упрощенных эквивалентных моделей транзисторов, параметры элементов эквивалентных схем которых легко определяются на основе справочных данных. Эквивалентная схема биполярного транзистора представлена на рисунке 3.6. Рисунок 3.6 - Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто)
Рассчитаем значения элементов схемы Джиаколетто по паспортным данным транзистора: Uкэ0 = 5,2(В), Iк0 = 0,11(А) – рабочая точка; (3.28) где Ск – ёмкость коллекторного перехода, Uкэ пас – напряжение при котором производилось измерение Ск пас, Uкэ0 – напряжение рабочей точки рассчитываемого каскада, (3.29) где rб – сопротивление базы транзистора, tс – постоянная времени цепи обратной связи (паспортные данные, в дальнейшем - *), для данного транзистора (КТ913А) равна 18 пС, Ск – ёмкость коллекторного перехода при Uкбпас2, Uкэ0 = Uкбпас2 + 0,7 В Uкэ0 = 10,7 1) Рассчитаем емкость коллекторного перехода: 2) Рассчитаем сопротивление и проводимость базы: ; , где gб – проводимость базы, 3) Рассчитаем сопротивление эмиттера: (3.30) ; где Iк0 в мА; rэ - сопротивление эмиттера. где Iэ0 = Iк0 + Iб0 = Iк0 + Iк0/b0 (3.31) Iэ0= 110+110/100 = 111,1(мА)
4) Рассчитаем проводимость база-эмиттерного перехода: (3.32) где gбэ проводимость перехода база–эмиттер, rэ –сопротивление эмиттерного перехода, b0 – статический коэффициент передачи тока базы (*); 5) Рассчитаем емкость эмиттерного перехода: (3.33) где fт – граничная частота коэффициента усиления тока базы (*), ; 6) Найдем сопротивление транзистора: (3.34) где Uкэдоп – допустимое (предельное) значение напряжения Uкэ (*), Iкдоп – допустимое (предельное) значение постоянного тока коллектора (*), ; 7) Рассчитаем крутизну: (3.35) ; (3.36) . Расчет коэффициента усиления (3.37) 1) (3.38) ; 2) (3.39) ; 3) . Коэффициент усиления одного некорректированного каскада получился менее заданного. Следовательно для обеспечения требуемого усиления, необходим ещё как минимум один каскад. Рассчитаем fв: (3.40) где Yв = 1 дБ = 0,89; 4) Выходная емкость: Свых = Ск(1+S0rб) (3.41) Cвых=15,25*10-12(1+1,56*1,59) = 53(пФ) 5) Постоянная времени транзистора: (3.42) 6) Постоянная времени в ОВЧ: tв = t + Cвых*Rэкв; (3.43) tв = 28*10-12+53*10-12*34,375 = 1850*10-12 7) При заданном уровне частотных искажений =1дБ, верхняя граничная частота полосы пропускания каскада равна: Yв = 0,89; (3.44) 8) Входная ёмкость каскада: (3.45) 9) Входное сопротивление каскада: (3.46)
Т.к. полученная верхняя частота получилась выше требуемой (40МГц), то ВЧ коррекция не требуется. Расчет промежуточного каскада Расчет рабочей точки для промежуточного каскада На выходе оконечного каскада необходимо получить напряжение равное , по полученным расчетам оконечный каскад имеет Входное сопротивление и входная ёмкость оконечного каскада: Следовательно, на входе оконечного каскада и выходе предоконечного необходимы амплитуда сигнала равной: (4.1) Рассчитаем рабочую точку предоконечного каскада с учетом полученных данных( = ): 1) , (4.2) где - напряжение рабочей точки или постоянное напряжение на переходе коллектор эмиттер; - напряжение на выходе усилителя; - остаточное напряжение на транзисторе. 2) Найдем эквивалентное сопротивление оконечного контура на граничной частоте : (4.3) 3) (4.4) 4) =1,1 =22,66мА, (4.5) где - постоянная составляющая тока коллектора; - сопротивление нагрузки по сигналу. 5) Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора равна (4.6) |
||
Последнее изменение этой страницы: 2018-06-01; просмотров: 252. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |