Определение усилительных параметров транзистора через r и h-параметры четырёхполюсника.

1).

2).

3).

4).

5).

1). ;

2).

4).

  5).

4.8Типы биполярных транзисторов. Конструкции и технологии производства.

Типы:

- дрейфовые,

- диффузионные,

- мезотранзисторы,

- планарные,

- эпитаксиальные.

       Конструкции и технологии производства:

5.1Классификация и система обозначений полевых полупроводниковых приборов. Система обозначений полевых транзисторов. МДП-структура с индуцированным каналом и МДП-транзисторы. ВАХ МДП-транзисторов.

       Принцип работы основан на дрейфовом движении носителей заряда.

- полевые транзисторы.

- полевые тиристоры.

- приборы с зарядовой связью.

       Цепь управления прибора изолирована диэлектриком.

       ПТ – полупроводниковый прибор, который управляется электрическим полем.

Модель полевого транзистора:

Униполярные, МДП, ПТУП.

       2 электрода (управляющий, выходной (входной)).

       Сток – электрод, к которому поступает в канал основные носители заряда.

       Исток – из канала, которого основные носители заряда вытекают.