ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОСЛІДОВНОГО ТА ПАРАЛЕЛЬНОГО КОНТУРІВ. ПІДСИЛЮВАЧІ РЕЗОНАНСНІ LC-типу

За принципом дії та схемному виконанню частотно-вибіркові підсилювачі діляться на резонансні, смугові та підсилювачі зі зворотнім зв'язком.

Резонансні підсилювачі (рис.70) – навантаженням вихідного ланцюга підсилювального елемента є паралельний коливальний контур, який має високий опір R_рез для резонансної частоти f₀ і малий опір для всіх інших частот. В резонансних підсилювачах транзистор може бути включений за схемами з СЕ, СБ, СК, але у більшості випадках застосовується схема з СЕ, яка має найбільше підсилення за потужністю із малим рівнем шумів.

Рисунок 70 – Схема резонансного транзисторного підсилювача з автотрансформаторним включенням контура

Частотна характеристика резонансного підсилювача визначається параметрами коливального контура.

Для зменшення впливу транзисторів на контур в схемах резонансних підсилювачів, як правило, використовують неповне включення контуру в колекторний ланцюг транзистора.

Смугові підсилювачі (рис.71) на відміну від резонансних мають, як правило, фіксовану настройку. Опором навантаження їх є смуговий фільтр – це двоконтурна зв’язана система з взаємоіндуктивним зв’язком між контурами. Частотна характеристика має форму аналогічну резонансної кривої двох зв’язаних контурів і в основному залежіть від ступеню зв’язку між контурами.

Рисунок 71 – Схема смугового підсилювача