Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Простые полупроводники VI группы
Из элементов VI группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева полупроводниковыми свойствами обладают сера, селен и теллур. Из них в качестве простого полупроводника находит применение только селен, а теллур и серу используют лишь в составе их соединений — сульфидов и теллуридов. Селен (Se) существует в нескольких аллотропических формах, а также в аморфном виде. Свойства различных модификаций селена весьма сильно отличаются друг от друга. В табл. 17.2 приведены основные параметры наиболее устойчивой и широко применяемой гексагональной модификации.
Технический селен содержит 1-2,5% примесей, имеет γ=10-3 см/м и непосредственно для полупроводникового производства не пригоден. Для предварительной очистки селена и отделения его от теллура используют химические методы, а для окончательной очистки — физические методы (вакуумная дистилляция, зонная плавка и др.). Промышленность выпускает селен марок СЧ-1 и СЧ-2, содержащих соответственно 99,998% и 99,992% чистого селена с удельной проводимостью около 10-10 См/м Для производства полупроводниковых приборов используют кристаллический гексагональный селен. Получают его нагреванием селена любой другой аллотропической формы до температуры 180-220°С, близкой к температуре плавления. По величине удельного сопротивления селен близок к диэлектрикам, но, по-видимому, за счет примесей всегда обладает дырочной электропроводностью. В зависимости от способа измерений получают различные значения ширины запрещенной зоны ∆W=1,2—2 эВ. Селен обладает высоким коэффициентом термо-э, д. с, порядка 600 мкВ/К. Его используют для изготовления выпрямителей, фоторезисторов и фотоэлементов. Селен почти прозрачен в инфракрасной области спектра. Это позволяет использовать его в качестве фильтров и защитных покрытии в приборах инфракрасного диапазона.
Легирующие элементы III группы Бор (В) является полупроводниковым материалом с шириной запрещенной зоны 1,54 эВ, но самостоятельного применения в полупроводниковом производстве в настоящее время не нашел. Известны несколько кристаллических модификаций бора с плотностью около 2340 кг/м3. В полупроводниковом производстве используют аморфную разновидность бора, представляющую собой порошок темно-бурого цвета с плотностью 1730 кг/м3. Температура плавления чистого бора 2175°С. При комнатной температуре бор химически пассивен, устойчив к воздействию воды и воздуха. Растворяется в концентрированной азотной кислоте и царской водке. При температуре 700° С бор сгорает на воздухе. С металлами бор образует соединения бориды. Карбид бора SiB используют в качестве абразивного материала, по твердости он уступает лишь алмазу. Бор прекрасно растворяется как в кремнии, так и в германии, где его растворимость достигает соответственно 1027 и 1026 атом/м3. Это обусловило широкое применение бора во всех процессах легирования. Бор является основным элементом для придания монокристаллам и эпитаксиальным слоям кремния и германия дырочной электропроводности. Алюминий (А1) - металл с высокой проводимостью. Его используют для легирования монокристаллического кремния некоторых низкоомных марок. Его предельная растворимость достигает 2·1027 атом/м3 в германии и 1025 атом/м3 в кремнии. Широко используют алюминий для создания омических контактов методом напыления в вакууме. В сплавной технологии алюминий применяют для создания р-n-переходов в кремнии n-типа. В этих случаях алюминий используют в виде тонкой проволоки или фольги. Галлий (Ga) представляет собой хрупкий серебристый металл с синеватым оттенком. Плотность галлия 5910 кг/м3, температура плавления очень низкая (29,8°С), поэтому в чистом виде галлий практически не применяют. Кристаллизуется галлий в виде необычной для металлов ромбической решетки. При низкой температуре галлий химически устойчив, в воде и на воздухе не окисляется. Галлий образует одно-, двух- и трехвалентные соединения, из которых наиболее устойчивы трехвалентные. Галлий является основным легирующим элементом для получения монокристаллов германия с дырочной электропроводностью. Его растворимость в германии достигает 7·1026 атом/м3. Галлий используют в электродных сплавах, предназначенных как для создания р-n-переходов, так и для получения омических контактов с германием. Галлий и еuj соединения ядовиты. Индий (In) представляет собой очень мягкий серебристо-белый металл. Промышленность выпускает индий с содержанием чистого продукта до 99,9995%. Низкая температура плавления индия (155°С). При комнатной температуре индий устойчив на воздухе, слабо окисляется в воде, растворяется в кислотах. В наиболее устойчивых соединениях индий трехвалентен. Индий хорошо сплавляется с германием, что позволяет его использовать в качестве основы электродных сплавов, но растворимость его в германии не высока (до 1025 атом/м3). Поэтому для получения ярко выраженных областей /г-типа (например, эмиттерных областей транзисторов) используют добавку галлия. В качестве легирующих добавок индий входит в состав электродных сплавов для кремния. Тонкие пленки индия, осаждаемые в вакууме, используют в производстве пленочных фоторезисторов и других полупроводниковых приборов в качестве электродов. Индий входит в состав полупроводниковых соединений с элементами V группы периодической системы.
|
||
Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 377. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |