![]() Студопедия КАТЕГОРИИ: АвтоАвтоматизацияАрхитектураАстрономияАудитБиологияБухгалтерияВоенное делоГенетикаГеографияГеологияГосударствоДомЖурналистика и СМИИзобретательствоИностранные языкиИнформатикаИскусствоИсторияКомпьютерыКулинарияКультураЛексикологияЛитератураЛогикаМаркетингМатематикаМашиностроениеМедицинаМенеджментМеталлы и СваркаМеханикаМузыкаНаселениеОбразованиеОхрана безопасности жизниОхрана ТрудаПедагогикаПолитикаПравоПриборостроениеПрограммированиеПроизводствоПромышленностьПсихологияРадиоРегилияСвязьСоциологияСпортСтандартизацияСтроительствоТехнологииТорговляТуризмФизикаФизиологияФилософияФинансыХимияХозяйствоЦеннообразованиеЧерчениеЭкологияЭконометрикаЭкономикаЭлектроникаЮриспунденкция |
Объект исследования и измерительное оборудование
Воробьев М.Д. Характеристики полупроводниковых активных элементов: Лабораторные работы по курсам "Электроника”, “Твердотельная электроника и микроэлектроника.”- M.: Издательство МЭИ, 2003. - 16с. Лабораторные работы посвящены исследованию характеристик и параметров основных активных элементов радиоэлектроники. Даны описание измерительного оборудования, методические указания по работе с ним, а также задания по измерению и моделированию различных характеристик и параметров. Для студентов II курса специальностей 200700, 201500, 201600, 200300. Учебное издание
ВОРОБЬЕВ Михаил Дмитриевич
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Л а б о р а т о р н ы е р а б о т ы п о к у р с а м “Электроника”, “Твердотельная электроника и микроэлектроника” для студентов, обучающихся по направлениям «Электроника и микроэлектроника», «Радиотехника»
Редактор издательства Н.Н.Сошникова ЛР №020528 от 05.06.97 г. __________________________________________________________________Темплан издания МЭИ 2003 (II), метод. Подписано к печати 09.09.03 Формат 60х84/16 Печ. л. 1,0 Тираж 300 Изд. №140 Заказ Издательство МЭИ, 111250, Москва, Красноказарменная, д. 14 Отпечатано в типографии ЦНИИ “Электроника”, 117415, Москва, просп. Вернадского, д. 39 Ó Московский энергетический институт, 2003
ВВЕДЕНИЕ
Для исследования характеристик полупроводниковых приборов используется стандартный лабораторный стенд. Общий вид передней панели стенда показан на рис.1.
Гнезда c напряжением 220 В, расположенные в середине верхней части панели, служат для подключения к сети всех измерительных приборов, установленных на стенде: дополнительных источников напряжения, осциллографа, импульсного генератора, измерителя параметров транзисторов, измерителя емкостей и т.д. Переменное напряжение 220 В подается на клеммы при положении “Вкл.” тумблера к1 и контролируется сигнальной лампой л1. Для исследования влияния температуры на работу полупроводниковых приборов на стенде смонтирована электрическая печь с термометром. Включение производится тумблером к2, индикатором включения служит сигнальная лампа л2. Для нагрева печи используется источник переменного напряжения, которое регулируется автотрансформатором типа ЛАТР. Напряжение, подаваемое на спираль печи, устанавливается в соответствии с градуировочной кривой, приведенной на рис. 2, и измеряется вольтметром В, вмонтированным в панель стенда рядом с печью. На лабораторном стенде установлен переносной измерительный блок, подключенный к стенду через разъем р1. Передняя панель блока, показанная на рис. 3, содержит три прибора для измерения постоянного тока (А) и три прибора для измерения постоянного напряжения (В). Каждый блок снабжен съемной панелью 1, на которой собрана схема для исследования характеристик полупроводниковых приборов.
Полупроводниковый прибор 2 монтируется на держателе 3 и подсоединяется к блоку при помощи колодки 4, шланга 5 и разъема 6. При подсоединении держателя к колодке необходимо обеспечить совпадение нанесенных на них цветных меток. Для исследования влияния окружающей температуры на работу полупроводникового прибора колодка 4 вместе с держателем 3 поме-щается внутрь печи.
Лабораторная работа №1 ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА Цель работы: изучение закономерностей прохождения тока через электронно-дырочный (p-n) переход; изучение влияния температуры на величину тока, проходящего через p-n переход; определение электрофизических характеристик полупроводников.
Предварительное задание
1. Подготовить ответы на следующие вопросы (см.[1], с.52 – 74 ): · схемы включения p-n перехода в электрическую цепь; · движение носителей заряда через p-n переход при отсутствии и наличии приложенного напряжения; · вольт-амперная характеристика p-n перехода (с объяснением); · влияние температуры на вольт-амперную характеристику; · сопоставление вольт-амперных характеристик p-n переходов, изготовленных из различных полупроводниковых материалов. 2. Ознакомиться со схемами измерений и методами обработки результатов.
Объект исследования и измерительное оборудование В качестве объекта исследования используется p-n переход, изготовленный на основе германия (маломощный выпрямительный германиевый диод). Для такого перехода ток, протекающий при приложении обратного напряжения около нескольких десятых вольт, достаточно близок к значению теплового тока. Величинами тока термогенерации в переходе и тока утечки можно пренебречь. |
|||
Последнее изменение этой страницы: 2018-04-12; просмотров: 462. stydopedya.ru не претендует на авторское право материалов, которые вылажены, но предоставляет бесплатный доступ к ним. В случае нарушения авторского права или персональных данных напишите сюда... |