МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ

Ростовский-на-Дону государственный колледж

радиоэлектроники, информационных и промышленных технологий

МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ОСТАТОЧНЫХ ЗНАНИЙ

по дисциплине «Электронная техника»

для специальностей: 210306 «Радиоаппаратостроение»

                              210308 «Техническое обслуживание и ремонт

                                              радиоэлектронной техники» (бытовая)

Разработал преподаватель

_______________ Т.И. Колпакова

«___» ___________ 2007 г.

1. Какому диоду соответствует характеристика?

2. Какому диоду соответствует характеристика?

1) КС447А

2) 2А509Б

3) КВ109А

4) 2Д230А

3. Какому диоду соответствует характеристика?

1) 1И102Г

2) КС156Б

3) 2Д528В

4) КД213А

4. Какому диоду соответствует характеристика?

5. Какое условное обозначение соответствует КУ201А?

6. Какая характеристика соответствует прибору КС533А?

7. Какое условное графическое обозначение соответствует прибору АЛ107А?

8. Какое условное графическое обозначение соответствует прибору КВ122В?

1. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме, название схемы и тип транзистора.

1) ошибка в полярности U_пит1, схема с ОБ, транзистор n-p-n;

2) ошибка в направлении I_э, схема с ОБ, транзистор n-p-n;

3) ошибка в направлении I_э, схема с ОБ, транзистор p-n- p;

4) ошибка в полярности U_пит1, схема с ОЭ, транзистор p-n- p.

10. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме, название схемы и тип транзистора.

1) неправильно указано направление тока базы, схема с ОК, транзистор n-p-n;

2) неправильно указана полярность U_пит2, схема с ОЭ, транзистор p-n- p;

3) неправильно указана полярность U_пит1, схема с ОЭ, транзистор n-p-n;

4) неправильно указано направление I_к, схема с ОЭ, транзистор n-p-n.

11. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме, название схемы и тип транзистора.

1) неправильно указана полярность U_пит1, схема с ОЭ, транзистор p-n-p;

2) неправильно указана полярность U_пит2, схема с ОК, транзистор p-n- p;

3) неправильно указано направление тока базы, схема с ОК, транзистор n-p-n;

4) неправильно указано направление тока коллектора, схемы с ОК, транзистор p-n-p.

12. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме, название схемы и тип транзистора.

1) неправильно указана полярность U_пит2, схема с ОЭ, транзистор p-n- p;

2) неправильно указана полярность U_пит1, схема с ОБ, транзистор n-p-n;

3) неправильно указано направление тока базы, схема с ОБ, транзистор n-p-n;

4) неправильно указано направление тока коллектора, схема с ОБ, транзистор

p-n-p.

13. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме, название схемы и тип транзистора.

1) неправильно указана полярность U_пит2, схема с ОК, транзистор p-n-p;

2) неправильно указана полярность U_пит2, схема с ОЭ, транзистор p-n-p;

3) неправильно указано направление тока базы, схема с ОЭ, транзистор p-n-p;

4) неправильно указано направление тока коллектора, схема с ОЭ, транзистор p-n-p.

14. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме включения полевого транзистора.

1) неправильно указано направление тока I_с;

2) неправильно указана полярность U_зи;

3) неправильно указана полярность U_си;

4) тип канала не соответствует указанным полярностям источника питания.

15. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме включения полевого транзистора.

1) неправильно указано направление тока I_с;

2) неправильно указана полярность U_си;

3) в схеме нет ошибок;

4) неправильно указана полярность U_зи.

16. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме включения полевого транзистора.

1) неправильно указано направление тока I_с;

2) в схеме нет ошибок;

3) неправильно указана полярностьU_зи;

4) неправильно указана полярность U_си.

17. Найдите ответ, в котором правильно указана ошибка на схеме включения полевого транзистора

1) схема с ОИ, транзистор «р» канальный, в режиме обеднения, неверно указано направление I_с;

2) схема с ОИ, транзистор «n» канальный, в режиме обогащения, неверно указана полярность U_зи;

3) схема с ОИ, транзистор «р» канальный, в режиме обеднения, неверно указана полярность U_си;

4) схема с ОИ, транзистор «n» канальный, в режиме обеднения, неверно указано направление I_с.

18. Найдите ответ, в котором правильно указано название схемы, тип полевого транзистора и ошибка на схеме

1) схема с ОИ, транзистор с индуцированным «n» каналом, неверна полярность U_си;

2) схема с ОС, транзистор с индуцированным «n» каналом, неверна полярность U_си;

3) схема с ОС, транзистор с индуцированным «n» каналом, неверна полярность U_зи;

4) схема с ОИ, транзистор с индуцированным «n» каналом, неверно указано направление I_с.

19. По характеристике определить схему включения и тип проводимости биполярного транзистора

1) ОБ, n-p-n;

2) ОЭ, n-p-n;

3) ОБ, р-n-p;

4) ОЭ, р-n-p.

20. По характеристике определить схему включения и тип проводимости биполярного транзистора

1) ОБ, р-n-p;

2) ОЭ, р-n-p;

3) ОБ, n-p-n;

4) ОЭ, n-p-n.

21. Найдите правильный ответ. В области 2 транзистор включен по схеме:

1) ОЭ, р-n-p, U_к прямо, U_э обратно;

2) ОЭ, n-p-n, U_к обратно, U_э прямо;

3) ОБ, р-n-p, U_к обратно, U_э прямо.

4) ОЭ, р-n-p, U_к обратно, U_э прямо.

22. По характеристике определите схему включения и тип проводимости биполярного транзистора

1) ОБ, р-n-p;

2) ОЭ, n-p-n;

3) ОБ, n-p-n;

4) ОЭ, р-n-p.

23. По характеристике определите схему включения и тип проводимости биполярного транзистора

1) ОБ, n-p-n;

2) ОЭ, n-p-n;

3) ОБ, р-n-p;

4) ОЭ, р-n-p.

24. Какой физический смысл параметра h11э?

1) входное сопротивление схемы с ОБ;

2) входная проводимость схемы с ОЭ;

3) коэффициент паразитной связи по напряжению;

4) входное сопротивление схемы с ОЭ.

25. Какой физический смысл параметра h21э?

1) коэффициент обратной паразитной связи по напряжению;

2) коэффициент передачи тока эмиттера;

3) коэффициент усиления тока базы;

4) выходная проводимость схемы с ОЭ.

26. Какой физический смысл h12э?

1) коэффициент обратной паразитной связи по току в схеме ОБ;

2) коэффициент обратной паразитной связи по току в схеме ОЭ;

3) коэффициент обратной паразитной связи по напряжению в схеме с ОЭ;

4) коэффициент обратной паразитной связи по напряжению в схеме с ОБ.

27. Каков физический смысл параметра h22б?

1) выходная проводимость в схеме с ОЭ;

2) выходная проводимость в схеме с ОБ;

3) входная проводимость в схеме с ОЭ;

4) входная проводимость в схеме с ОБ.

28. Найдите полный и правильный ответ. Схема:

1) схема включения с ОИ, МОП транзистор с индуцированным «n» каналом;

2) схема с ОС, МОП транзистор со встроенным «р» каналом;

3) схема с ОС, МОП транзистор со встроенным  «n» каналом;

4) схема с ОИ, полевой транзистор с управляющим P-N переходом, n-каналом.

29. Найдите полный и правильный ответ.

1) схема с ОС, МОП транзистор со встроенным «р» каналом;

2) схема с ОИ, МОП транзистор со встроенным «р» каналом;

3) схема с ОИ, МОП транзистор с индуцированным «n» каналом;

4) схема с ОС, МОП транзистор с индуцированным «р» каналом.

30. Какому полевому транзистору соответствует характеристика?

31. Найдите наиболее полный и правильный ответ. Схема:

1) схема с ОИ, полевой транзистор, работающий в режиме обогащения, р-канал;

2) схема с ОС, полевой транзистор, работающий в режиме обеднения, n-канал;

3) схема с ОИ, полевой транзистор, работающий в режиме обеднения, n-канал;

4) схема с ОС, полевой транзистор, работающий в режиме обогащения, р-канал.

32. Найдите полный и правильный ответ

1) стоко-затворная характеристика полевого транзистора с управляющим

р-n переходом, р-каналом;

2) стоковая характеристика полевого транзистора с управляющим переходом

р-n, n-канального;

3) стоковая характеристика полевого МОП транзистора с индуцированным n-каналом;

4) стоковая характеристика полевого МОП транзистора с индуцированным каналом.

33. На входах

х₁ =  0

х₂ = 1

х₃ = 0

на выходе 1) у = 0

             2) у = 1

34. На входах

х₁ = 1

х₂ = 1

на выходе 1) у = 0

             2) у = 1

35. Выражению

у = х₁ + х₂ + х₃ соответствует УГО:

1)                        2)                       3)

4)

36. Выражению у =  соответствует УГО:

1)                       2)                        3)

4)                        

37. Достоинства схемы с общей базой:

1) малое входное сопротивление;

2) усиливает по току;

3) усиливает по напряжению;

4) хорошие температурные свойства;

5) плохие температурные свойства;

38. Недостатки схемы с общей базой:

1) малое входное сопротивление;

2) не усиливает по току;

3) не усиливает по напряжению;

4) плохие температурные свойства;

39. Достоинства схемы с общим эмиттером:

1) входное сопротивление больше, чем в схеме с ОБ;

2) усиливает по напряжению;

3) хорошие температурные свойства;

4) хорошие частотные свойства;

5) плохие частотные свойства.

40. Недостатки схемы с общим эмиттером:

1) входное сопротивление меньше, чем в схеме с ОБ;

2) входное сопротивление больше, чем в схеме с ОБ;

3) плохие температурные свойства;

4) хорошие частотные свойства;

5) плохие частотные свойства.

41. Достоинства серий КМОП (1554, 1564):

1) высокая помехоустойчивость;

2) широкие рабочие диапазоны напряжения питания;

3) высокая нагрузочная способность;

4) высокое быстродействие;

5) небольшая генерация помех.

42. Недостатки серий КМОП (1554, 1564):

1) низкая помехоустойчивость;

2) низкое быстродействие;

3) большая генерация помех;

4) рост Р_потр с ростом частоты;

5) боятся электростатического разряда.

43. Достоинства серий ЭСЛ:

1) большое Р_потр;

2) большое быстродействие;

3) небольшая генерация помех;

4) отсутствует генерация помех;

5) низкая помехоустойчивость;

44. Недостатки серий ЭСЛ:

1) большое Р_потр;

2) малое быстродействие;

3) отсутствует генерация помех;

4) низкая помехоустойчивость;

5) независимость тока потребления от частоты переключения.